自支撑氮化 衬底片生产商GaN氮化 晶片厂商恒迈瑞公司目前自支撑氮化 衬底片有2英寸氮化 衬底片和方形10*10.5mm2氮化 衬底片材料，导电类型分为n型非掺杂、n型si掺杂，及Fe掺杂半绝缘氮化 晶片。产品等级有测试级，研究级和产品级氮化 衬底。另外衬底结构为GaNonSapphire的氮化 复合衬底有2英寸和4英寸，厚度均为350um±25um。自支撑氮化 衬底片生产商GaN氮化 晶片厂商第一代半导体材料以硅和锗为代表，第二代半导体材料以砷化镓和磷化铟为代表。近年来，以SiC碳化硅和GaN氮化 为代表的第三代半导体材料成为全球半导体研究的  和热点。因具备禁带宽度大、击穿电场高、热导率大、电子饱和漂移速率高、抗辐射能力强等  性能，第三代半导体材料已成为固态光源和电力电子、微波射频器件的“核芯”，在诸多领域有广阔的应用前景。