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三碲化二锑
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基本介绍周期表第V，VI族元素化合物半导体。共价键、离子键结合，有一定的范德瓦尔斯键成分，三角晶系，原胞为菱形六面体。密度6.5g/cm3。熔点620℃。禁带宽度0.23eV。电阻率为3×10-6Ω·m时的塞贝克系数为100μV/K。温差电系数0.9×10-3/K。采用布里奇曼方法制备。为温差电材料。
性能特点中文名称：碲化锑
英文名称：antimony telluride crystal
纯度：99.99% 99.999%
分子式：Sb2Te3
分子量：626.3
性质：周期表第V，VI族元素化合物半导体。共价键、离子键结合，有一定的范德瓦尔斯键成分，三角晶系，原胞为菱形六面体。密度6.5g/cm3。熔点620℃。禁带宽度0.23eV。电阻率为3×10-6Ω·m时的塞贝克系数为100μV/K。温差电系数0.9×10-3/K。采用布里奇曼方法制备。为温差电材料。
技术参数中文名称：碲化锑
英文名称：antimony telluride crystal
纯度：99.99% 99.999%
分子式：Sb2Te3
分子量：626.3
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