半导体框架产品 在线式氮气回流焊炉N10基本介绍 
 
 
 
 
  氮气回流炉是在回流炉炉膛内充氮气，为了阻断回流炉内有空气进  
 
 
 
 
  入防止回流焊接中的芯片和框架氧化，同时也防止在预热、焊接或冷却过程  
 
 
 
 
  的氧化。  
 
 
 
 
  氮气回流炉的使用主要是为了增强焊接质量，使焊接发生在氧含量极  
 
 
 
 
  少（<50PPM甚至低）以下的环境下，可避免芯片的氧化问题。因此氮气  
 
 
 
 
  回流炉的主要问题是保证氧气含量越低越好。  
 
 
 
 
  中科同志根据不同客户需求，开发了多款氮气回流炉，其中具代表  
 
 
 
 
  性的就是N10。N10为多温区在线式设备，适用于框架产品、CLIP产品的高质  
 
 
 
 
  量封装焊接。  
 
 
 
 
 半导体框架产品 在线式氮气回流焊炉N10性能特点 
 
 
 
 
  N10为10温区在线式氮气焊接炉，满足客户的产能需求。  
 
 
 
 
  氧含量小于50PPM，适用于框架产品、CLIP产品的高质量封装焊接。  
 
 
 
 
  N10上、下各10温区，包含预热区、高温焊接区、冷却区三个大区，  
 
 
 
 
  同时冷却还分为高温冷却区和低温冷却区。每个温区独立温控系统，实  
 
 
 
 
  现单区独立控制。  
 
 
 
 
  该设备采用  工艺及氮气工艺，  工艺可有效去除焊件氧化膜，  
 
 
 
 
  氮气环境可以防止在焊接过程中工件氧化。在使用氮气加  的环境下，  
 
 
 
 
  使用的焊膏中不需含有活化剂，焊后也无残留物，对精细间距器件的焊  
 
 
 
 
  接有利。氮气、焊膏、  相结合，能够破除氧化物，获得基材的  
 
 
 
 
  纯净表面，达到可靠的焊接。 
 
 
 
 
 半导体框架产品 在线式氮气回流焊炉N10技术参数 
 
 
 
 
  型号                         N10  
 
 
 
 
    加热区长度        350×100mm  
 
 
 
 
  温区数目                   10  
 
 
 
 
  温区分布                   加热区7组，冷却区3组  
 
 
 
 
  炉膛高度                  15mm  
 
 
 
 
  加热方式                   板式金属合金加热  
 
 
 
 
  氧含量                      <50PPM，高配置，可以控制到10PPM以内  
 
 
 
 
  氮气消耗量                35-55L/S  
 
 
 
 
  最高温度                    500℃  
 
 
 
 
  冷却方式                     水冷  
 
 
 
 
  温控精度                     1℃  
 
 
 
 
  额定电压                      380V  
 
 
 
 
  额定功率                     30KW  
 
 
 
 
  正常功耗                     5-6KW  
 
 
 
 
  外形尺寸/重量             1895×780×895mm/1000Kg  
 
 
 
 
 半导体框架产品 在线式氮气回流焊炉N10使用说明 
 

  无需购买其他设备 
 
 
 半导体框架产品 在线式氮气回流焊炉N10采购须知 
 

  需配置氮气，去离子水