供应高纯贵金属黄金及金基合金溅射靶材Glod（Au）

产品名称：	金及金基合金溅射靶材

牌号规格：	Au01、Au1、AuGe12、AuGeNi11.5-5、AuGeNi12-4

用途备注：	金、金锗、金锗镍等溅射靶材通过磁控溅射工艺沉积在半导体芯片如GaAs、GaP、GaN等表面，形成欧姆接触膜、电极和连线膜。可形成多种金属化膜系统。

产品详情

高纯金及合金是制造半导体芯片的关键基础材料。使用金靶材将金膜沉积在半导体芯片表面，形成欧姆接触膜、电极和连线膜，可形成多种金属化膜系统。该金属氧化膜系统可大量应用于制造发光二极管（LED），

  和民用微波通信器件，  、航空等重要领域用半导体化合物以及芯片太阳能电池等领域。

化学成分

序号	合金牌号	主成分

Au	Ge	Ni	Ga	Be

1	Au1	≥99.99				

2	Au01	≥99.999	——	——	——	——

3	Au88Ge	88±0.5	余量	——	——	——

4	Au83.5GeNi	83.5±0.5	余量	5±0.4		

备注：可按客户要求提供其它成分的产品。

外形尺寸（mm）

合金牌号	形状	规格	允许偏差	厚度	允许偏差

Au1、Au01	圆形	100-250	±0.1	3～6	±0.2

方形	127×381	±1	3～6	±0.2

AuGe12、Au83.5GeNi、	圆形	100-250	±0.3	6	±0.5

方形	127×381	±1	6	±0.5

备注：可供其它规格和允许偏差的产品。