氮化铝陶瓷基板、基片
 
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氮化铝（AlN）是共价键化合物，原子晶体，属类金刚石氮化物、六方晶系，纤锌矿型的晶体结构，  ，呈白色或灰白色，理论密度3.26g/cm3。
 
氮化铝材料具有如下特性：
 
(1)高热导率 (理论值约320W/m·K)；
(2)高绝缘性；
(3)低热膨胀系数(4.5×10-6℃)与Si(3.5~4×10-6℃)和GaAs(6×10-6℃)匹配；
(4)电性能  (介电常数、介质损耗、体电阻率、介电强度)；
(5)机械性能好；
(6)耐腐蚀性好；
(7)光传输特性好；
 
 
 
　氮化铝陶瓷已成为新一代大规模集成电路、半导体模块及大功率器件的理想的散热和封装材料，大量应用于HBLED、UVLED封装、大功率集成电路、功率模块、RF射频/微波通讯、汽车电子、微电子半导体、影像传输等领域。
 
氮化铝陶瓷材料具有  的热传导性、可靠的电绝缘性、低的介电常数和介电损耗，可用于制造高导热无磁骨架材料、电子基片、微波介电材料、耐高温、绝缘及耐腐蚀结构陶瓷材料制品。氮化铝陶瓷还可用作熔炼有色金属和半导体材料砷化镓的坩埚、蒸发舟、高温绝缘件、微波介电材料、耐高温及耐腐蚀结构陶瓷及透明氮化铝微波陶瓷制品等。
 
 
氮化铝陶瓷技术性能参数表一 
  
分类
 
项目
 
单位
 
指标值
 
AN170
 
AN200
 
AN220
 
基本性能
 
颜色
 
－
 
灰色
 
灰色
 
米色
 
吸水率
 
%
 
0
 
0
 
0
 
体积密度
 
g/cm3
 
≥3.30
 
≥3.30
 
≥3.23
 
表面粗糙度
 
?m
 
0.1～0.6
 
0.1～0.6
 
0.1～0.6
 
翘曲率
 
‰
 
≤2
 
≤2
 
≤2
 
热学性能
 
热导率（20℃）
 
W/m.k
 
≥170
 
≥200
 
≥220
 
热膨胀系数
 
20℃～300℃
 
×10-6/℃
 
4.6
 
4.6
 
4.6
 
40℃～８００℃
 
×10-6/℃
 
5.2
 
5.2
 
5.2
 
力学性能
 
抗弯强度
 
Mpa
 
≥450
 
≥300
 
≥200
 
弹性模量
 
Gpa
 
320
 
310
 
310
 
莫氏硬度
 
－
 
8
 
8
 
8
 
电学性能
 
抗电强度
 
KV/mm
 
≥17
 
≥16
 
≥15
 
体积电阻率
 
Ω   
 
≥1014
 
≥1014
 
≥1013
 
介电常数
 
－
 
9
 
8.6
 
8.5
 
介电损耗
 
×10-4
 
2.98
 
2
 
2
 
 
 
 
 
氮化铝陶瓷技术性能参数表二
 
 
性能内容
 
性能指标
 
体积密度
 
≥3.3 g/cm3
 
吸水率
 
0%
 
热导率（20℃）
 
≥170W/m·k
 
线膨胀系数（RT-400℃）
 
4.4×10-6/℃
 
抗弯强度（Mpa）
 
≥330
 
体积电阻率
 
≥1014Ω·cm
 
介电常数（1MHz）
 
9.0
 
介质损耗
 
3×10-4
 
抗电强度
 
≥15KV/mm
 
表面粗糙度Ra
 
0.3～0.5?m（≤20nm）
 
翘曲度（~/25.4（长度））
 
0.03～0.05
 
外观
 
致密、细晶