基本介绍 
 
 
 反渗透阻垢剂是专门用于 
 反渗透(RO)系统及 
 纳滤(NF)和 
 超滤(UF)系统的阻垢剂，可防止膜面结垢，能提高产水量和产水质量，降低运行费用。 
 
 
 
功能特性
 1.可适用于各种膜管的材质
 
 
2.可适用于各种不同的水质中，仍有高效能的阻垢能力，减少膜管的清洗频率
 
 
3.可取代加酸的需求，防止加酸所造成可能的腐蚀问题
 
 
4. 添加量极低，同时具有很好的门限作用，可获得经济效益的阻垢控制
 
 
5. 对铁、锰等金属离子均有良好的螯合稳定的功能，防止其产生污垢于膜管上
 
 
6.产品功能与安定性均远  六偏  钠或纯聚合物型的阻垢剂
 
 
7. 可允许反渗透膜系统操作在较高的产水率
 
 

  性能特点 
 
 
 
特点
 
 
①在很大的浓度范围内有效的控制无机物结垢
 
 
②不与铁铝氧化物及硅化合物凝聚形成不溶物
 
 
③能有效地抑制硅的聚合与沉积，浓水侧SiO2浓度可达290
 
 
④可用于反渗透CA及TFC膜、纳滤膜和超滤膜
 
 
⑤很好的溶解性及稳定性
 
 
⑥给水PH值在5-10范围内均有效
 
 

  技术参数 
 
 
  
  
  
  
  
 

  使用说明 
 
 
 
1、鳌合增溶作用
 
 
螯合增溶作用是指阻垢剂与水中Ca2+、Mg2+、Sr2+、Ba2+等高价金属离子络合成稳定的水溶性螯合物，使水中游离态钙、镁离子的浓度相应降低，这样就好像使CaCO3等物质的溶解度增大了，本来会析出溶液的CaCO3等物质实际上没有形成沉淀。
 
 
阈限效应阻垢是指只需向溶液中加入少量的阻垢剂，就能稳定溶液中大量的结垢离子，它们之间不存在严格的化学计量关系，当阻垢剂的量增至过大时，其稳定阻垢作用并无明显改进。
 
 
2、晶格畸变作用
 
 
晶体正常形成的过程是微粒子（离子、原子或分子）根据特定的晶格方式进行十分有规则的排列，从而形成外形规则、熔点固定、致密坚固的物质结构。所谓晶体畸变是指在晶体生长的过程中，常常会由于晶体外界的一些原因，而使得晶体存在空位、错位等缺陷或形成镶嵌构造等畸变，其结果使同一晶体的各个晶面发育不等。晶体中这种局部组分的差异会导致晶体内部的应力，晶体本身与镶嵌物质脱胀系数的不同也会导致应力。这些应力使晶体不稳定。当环境发生某些变化时，大晶体便会碎裂成小晶体。
 
 
阻垢剂分子由于吸附在位于晶体活性生长点的晶格点阵上，使晶体不能按照晶格排列正常生长，使晶体发生畸变，使晶体的内部应力增大导致晶体破裂，从而防止微晶沉积成垢，达到阻垢目的。
 
 
3、吸附与分散作用
 
 
阻垢分散剂属于阴离子有机化合物，可因物理化学吸附作用而吸附于胶体颗粒及微晶粒子上，在颗粒表面形成新的双电层，改变颗粒表面原来的电荷状况。于是，因同性电荷相排斥而使它们稳定地分散在水体中。
 
 
阻垢剂的合理添加阻止了反渗透RO系统中进水和浓水的难溶盐结垢生长，提高了系统的极限回收率上限，降低了系统稳定运行结垢风险。
 
 
阻垢剂/分散剂注入系统的设计应该保证在进入RO系统之前得到充分混合。大多数系统的加药点设在RO进水保安过滤器之前，通过在过滤器中的缓冲时间及RO高压泵的搅拌作用来促进混合。如果系统采用加酸调节pH，  加酸点要在上游足够远的地方，在到达阻垢剂/分散剂注入点之前已经完全混合均匀。
 
 

  采购须知