霍尔效应测试系统 霍尔效应测试仪基本介绍 
 
 
 霍尔效应测试系统（霍尔效应测试仪）HET-3RT依据范德堡法则测量材料的电运输性能参数，如载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等，薄膜或薄层材料均可测量，可应用于所有半导体材料，包括Si、ZnO、SiGe、SiC，GaAs，InGaAs，InP，GaN（N型&P型均可测量）,广泛应用于国内高校、研究所、半导体、金属、高热导有机新材料等行业。 
 
 
  
 
 
 霍尔效应测试系统 霍尔效应测试仪性能特点 
 
 
 
● 采用高精密度恒流源和电压表，确保仪器测试的良好准确度和高稳定性，性能好。
 
 
● 自动控制磁场方向的改变，方便准确。
 
 
● 样品装夹方式快速方便，且使用能够解决欧姆接触的样品芯片。
 
 
● 产品工业外观采用一体化、精密化设计，融入人性化的设计理念，不仅赏心悦目而且操作方便。
 
 
● 智能化的用户界面操作简单，功能齐全的软件平台带给客户友好的操作体验，使测试过程方便快捷。
 
 
 
 霍尔效应测试系统 霍尔效应测试仪技术参数 
 
 
 
 
  
 
   
 
    
 
设备型号
 
 
    
 
HET-3RT
 
 
   
 
   
 
    
 
温度范围
 
 
    
 
RT
 
 
   
 
   
 
    
 
磁感应强度
 
 
    
 
0.68T
 
 
   
 
   
 
    
 
恒流源范围
 
 
    
 
1nA~100mA
 
 
   
 
   
 
    
 
电压表范围
 
 
    
 
1nV~30V
 
 
   
 
   
 
    
 
迁移率范围
 
 
    
 
1~107cm2/(V·s)
 
 
   
 
   
 
    
 
霍尔系数范围
 
 
    
 
10-3~109cm3/C
 
 
   
 
   
 
    
 
载流子浓度范围
 
 
    
 
107 ~1021/cm-3
 
 
   
 
   
 
    
 
电阻率范围
 
 
    
 
10-6~107Ω·cm
 
 
   
 
   
 
    
 
样品尺寸
 
 
    
 
边长或直径：10mm~20mm
 
厚度：10nm-1mm
 
 
   
 
   
 
    
 
主机尺寸
 
 
    
 
570x545x380(mm)
 
 
   
 
   
 
    
 
重量
 
 
    
 
50kg
 
 
   
 
  
 
 
 
 
 
 霍尔效应测试系统 霍尔效应测试仪产品应用                     
 
 
 
● 判断半导体材料类型
 
 
● 太阳能电池片的制程辅助
 
 
● 晶圆电性能的判断
 
 
● 热电材料研究