哈尔滨特博科技（Tebo Technology Co., Ltd. )有限公司，长期专业供应半导体材料。
名称：InAs（ 化铟）单晶，
规格：可以做到2英寸、3英寸，正常晶向为<100>、<111>,特殊晶向也可以加工。
参数：
InAs单晶参数
品种	类型	浓度
（cm-3）	迁移率
(cm2/V.s)	位错密度
(cm-2)
纯 InAs	N	31016	2104	3104
S-InAs	N	(3-80)1017	？	1104
Zn-InAs	P	(3-80)1017	60-300	1104