大小1英寸到4英寸不等，厚度0.2mm、0.4mm、1mm、1.2mm等不同厚度，单面抛光。

参数类型                                      Si技术指标

产品尺寸                                      1-4英寸

生长方法                                   直拉单晶（Cz）

表面抛光                                    单面抛光

直径公差                                  100.2±0.3mm

掺杂类型                                  掺杂剂（磷或硼）

晶体取向                                    100  111

电阻率Ω                  ＜0.0015 Ω     0.001-0.5Ω     1-10Ω   

平整度TIR                                  ＜3um

翘曲度TTV                                ＜10um

弯曲度BOW                              ＜10um

抛光粗糙度Ra                           ＜0.5nm

颗粒度Pewaferr                        ＜（for size＞0.3um）

厚度um                                    请咨询

用途                                    用于微流控芯片光刻工艺模具、工艺等同步辐射样品载体、LPCVD/PECVD
                                          镀膜做衬底、磁控溅射生长样品、XRD、SEM、AFM、红外光谱 荧光光谱
                                          等分析测试基底、分子束外延生长的基底、X射线分析晶体半导体等诸多
                                          科研用途。