PY32F030 系列微控制器采用高性能的 32 位 ARM? Cortex?-M0+内核,宽电压工作范围的 MCU。嵌入高达
64Kbytes flash 和 8Kbytes SRAM 存储器,最高工作频率 48MHz。包含多种不同封装类型多款产品。芯片集成多
路 I2C、SPI、USART 等通讯外设,1 路 12bit ADC,5 个 16bit 定时器,以及 2 路比较器。
PY32F030 系列微控制器的工作温度范围为-40℃
~
85℃,工作电压范围 1.7V
~
5.5V。芯片提供 sleep 和 stop
低功耗工作模式,可以满足不同的低功耗应用。
PY32F030 系列微控制器适用于多种应用场景,例如控制器、手持设备、PC 外设、游戏和 GPS 平台、工业应
用等。
? Cortex?-M0+
内核
Arm?
Cortex
?
- M0+是一款为广泛的嵌入式应用设计的入门级 32 位 Arm Cortex 处理器。它为开发人员提
供了显著的好处,包括:
结构简单,易于学习和编程;
功耗,节能运行;
精简的代码密度等。
Cortex-M0+处理器是 32 位内核,面积和功耗优化高,为 2 级流水的冯诺伊曼架构。处理器通过精简但强大
的指令集和广泛优化的设计,提供 处理硬件,包含单周期乘法器,提供了 32 位架构计算机所期望的 性
能,比其他 8 位和 16 位微控制器具有 的代码密度。
Cortex-M0+与一个嵌套的矢量中断控制器(NVIC)紧密耦合。
2.
存储器
片内集成 SRAM。通过 bytes(8bits)、half-word(16bits)或者 word(32bits)的方式可访问 SRAM。
片内集成 Flash,包含两个不同的物理区域组成:
Main flash 区域,它包含应用程序和用户数据
Information 区域,4KBytes,它包括以下部分:
?
Option bytes
?
UID bytes
?
System memory
对 Flash main memory 的保护包括以下几种机制:
read protection(RDP),防止来自外部的访问。
wrtie protection(WRP)控制,以防止不想要的写操作(由于程序存储器指针 PC 的混乱)。写保护
的 保护单位为 4Kbytes。
Option byte 写保护,专门的解锁设计。
模式
通过 BOOT0 pin 和 boot 配置位 nBOOT1(存放于 Option bytes 中),可选择三种不同的启动模式。
内核
— 32 位 ARM? Cortex? - M0+
— 48MHz 工作频率
存储器
— 64Kbytes flash 存储器
— 8Kbytes SRAM
时钟系统
— 内部 4/8/16/22.12/24MHz RC 振荡器(HSI)
— 内部 32.768KHz RC 振荡器(LSI)
— 4
~
32MHz 晶体振荡器(HSE)
— 32.768KHz 低速晶体振荡器(LSE)
— PLL(支持对 HSI 或者 HSE 的 2 倍频)
电源管理和复位
— 工作电压:1.7V
~
5.5V
— 低功耗模式: Sleep 和 Stop
— 上电/掉电复位 (POR/PDR)
— 掉电检测复位 (BOR)
— 可编程的电压检测 (PVD)
通用输入输出(I/O)
— 多达 30 个 I/O,均可作为外部中断
— 驱动电流 8mA
— 4 个 GPIO 支持 灌电流,可配置为
80mA/60mA/40mA/20mA
3 通道 DMA 控制器
1 x 12-bit ADC
— 支持 10 个外部输入通道
— 输入电压转换范围: 0
~
VCC