华润矽威锂电PT6007V
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10000000只
产地
广东省/深圳市
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深圳市鑫顺祥科技有限公司

主营产品:
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- 产品参数 -
商标 华润矽威
型号 PT6007V
规格 TSSOP-28
包装 3K
是否有现货
封装 TSSOP
功能结构 模拟集成电路
制作工艺 半导体集成电路
导电类型 双极型
外形 扁平型
集成度高低 大规模集成电路
应用领域 标准通用
型号 PT6007V
规格 TSSOP-28
商标 华润矽威
包装 3K
- 产品详情 -
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基本介绍 (产品的基本描述,如定义、功能等)
PT6007V 是一款专为吸尘器设计的5~7 串锂离子/聚
合物电池的电池保护芯片,可降低因电池过充,过放,过
温和/或过流条件而导致的电池损坏或寿命缩短的风险。
±25mV 的过充电检测电压精度保证电池 的全容量
充电。两路±10mV 的电流检测电压精度保证放电过流准确
触发。
PT6007V 的充电过温保护阈值和放电过温保护阈值可
通过外部电阻独立设置。
PT6007V 可以直接驱动外部N 型的充电MOSFET 和
两路N 型放电MOSFETs , 并保留特殊的DCTL1 和
DCTL2 引脚, 让客户可根据应用控制两路放电
MOSFETs。
PT6007V 将充电过温/充电低温事件、放电过温事件、
放电过流/短路事件和充电过压事件通过4 个独立的引脚输
出,可配合单片机灵活应用。。
PT6007V 的低功耗设计让电池包在存储阶段只消耗微
不足道的电流。
性能特点 (除基本功能外的其它特质,例如工作时长、操作简便性等)
 内置高精度电压检测电路:
 过充电检测电压:
VCOV = 4.1V to 4.35V;50mV/step
精度:±25mV
 过充电滞后电压:
VΔCOV=0~300mV;100mV/step
 过放电检测电压:
VCUV=2.3V to 2.9V;200mV/step
精度:±80mV
 过放电滞后电压:
VΔCUV =300mV~900mV; 200mV/step
 放电回路1 内置三段放电过电流检测电路:
 过电流1 检测电压:
V1PDOC1= 50mV to 150mV;25mV/step
精度:±10mV
 过电流2 检测电压:
V1PDOC2= 2* V1PDOC1,精度:±20mV
 负载短路检测电压:
V1PSC= 5* V1PDOC1,精度:±50mV
 放电回路2 内置两段放电过电流检测电路:
 过电流检测电压:
V2PDOC= 50mV,精度:±10mV
 负载短路检测电压:
V2PSC=0.25V,精度:±50mV
 内置独立的充电过温和放电过温保护,可通过外部电阻
独立设置充电过温保护阈值和放电过温保护阈值
 内置充电低温保护
 各种延迟时间可通过外部电容设置
 DT、CT、OV 和SC/OC 事件报警信号通过管脚输出
 低消耗电流:
 工作状态时:典型值35μA
 休眠状态时:< 1μA
 封装:TSSOP-28
技术参数 (例如材质、工艺、尺寸的技术标准等)
极限参数(注1)
(无特别说明,Ta=25°C)
参数 符号 对应引脚 参数范围 单位
VCC引脚输入电压范围 VCC VCC VSS-0.3 to VSS+35 V
低压引脚电压范围 VIN_LV
CS1, CS2, CUVT, COVT, TS, VTD, VTC,
OC_ALM, DT_ALM, CT_ALM, OV_ALM,
VSS-0.3 to VSS+5.5 V
高压引脚电压范围 VIN_HV nDCTL1, nDCTL2, PD_N VSS-0.3 to VSS+35 V
VM 引脚电压范围 VVM VM VSS-0.3 to VCC+0.3 V
SEL 引脚电压范围 VSEL SEL VSS-0.3 to VCC+0.3 V
电池输入引脚电压范围
VC(n) to VC(n-1), n=2 to 7;
VC1 to VSS
VCELL
(VC7, VC6), (VC6,VC5), (VC5,VC4), (VC4,VC3),
(VC3,VC2), (VC2, VC1),(VC1, VSS)
-0.3 to +8 V
电池输入引脚电压范围
VC(n), n=1 to 7;
VC(n) VC(n) VSS-0.3 to VSS+35 V
CDRV 引脚电压范围 VCDRV CDRV VCC-35 to VCC+0.3 V
DDRV 引脚电压范围 VDDRV DDRV1,DDRV2 VSS-0.3 to VSS +15 V
ESD (HBM) (注2) ±2 KV
工作结温范围 TA -40 to +85 °C
存储温度范围 TSTG -40 to +125 °C
PN 结到环境热阻
(TSSOP-28) JA  130 °C/W
注1:最大极限值是指超出该工作范围
注2:HBM: ANSI/ESDA/JEDEC JS-001-2014
使用说明 (例如使用场所、工作原理、产品结构、安全操作说明等)
功能描述
1. 上电过程
当电源接入,VCC上升时,如果VCC<VPOR或PD_N接地或者悬空,充放电MOSFETs默认关闭;如果VCC≥VPOR且PD_N接VCC或者5V,PT6007V将打开充电MOSFET并检测是否有放电保护事件发生。如果没有放电保护事件且nDCTL1和nDCTL2接地或者悬空,则PT6007V将打开放电回路1和放电回路2的MOSFETs,PT6007V 进入正常工作状态。
2. 正常工作状态
如果没有任何保护事件发生,PT6007V工作在正常状态,充放电MOSFETs全部打开。
3. 充放电状态
放电状态:当CS1引脚电压高于VDSG(VCS1≥VDSG),电池组被认为是在放电状态。
充电状态:当CS1引脚电压低于VDSG(VCS1<VDSG),电池组被认为是在充电状态。
4. 放电回路1的放电过电流保护
PT6007V的放电回路1有三段放电过电流保护功能。
1PDOC1:当VCS1≥V1PDOC1且延迟时间TD≥T1PDOC1,1PDOC1触发,放电回路1和放电回路2的MOSFETs同时关闭。
1PDOC2:当VCS1≥V1PDOC2且延迟时间TD≥TPDOC2,PDOC2触发,放电回路1和放电回路2的MOSFETs同时关闭。
1PSC:当VCS1≥V1PSC且延迟时间TD≥TPSC,1PSC触发,放电回路1和放电回路2的MOSFETs同时关闭。
1PDOC1、1PDOC2和1PSC只有在放电回路1负载开路时才会解除。
1PDOC1/1PDOC2/1PSC报警:
如图1,当芯片进入1PDOC1/1PDOC2/1PSC状态时,OC_ALM向MCU输出低电平报警。
5. 放电回路2的放电过电流保护
PT6007V的放电回路2有两段放电过电流保护功能。
2PDOC:当VCS2≥V2PDOC且延迟时间TD≥T2PDOC,2PDOC触发,只有放电回路2的MOSFET关闭。
2PSC:当VCS2≥V2PSC且延迟时间TD≥TPSC,2PSC触发,只有放电回路2的MOSFETs同时关闭。
2PDOC和2PSC只有在检测到nDCTL2的下降沿时才会解除。
2PDOC/2PSC报警:
如图1,当芯片进入2PDOC/2PSC状态时,OC_ALM向MCU输出低电平报警。
6. 温度保护
在正常工作条件下,PT6007V 周期性(TTDET)轮流检测充电温度保护和放电温度保护。
放电状态
DOT:PT6007V一旦检测到电池组的温度高于放电过温保护阈值tDOT,放电过温保护DOT触发,充电MOSFET和两路放电MOSFETs同时关闭。
采购须知 (例如发货时间、运输方式、售后服务事项等)
 
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