华润矽威锂电PT6303
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产地
广东省/深圳市
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深圳市鑫顺祥科技有限公司

主营产品:
华润矽威pt4115,华润矽威pt4205,华润矽威pt6007,华润矽威pt6003 锂电池保护芯片,pt4119 降压型dc-dc驱动方案,华润矽威pt4121,OC5266,S4422
- 产品参数 -
商标 华润矽威
型号 PT6302
规格 MSOP-10
包装 3K
是否有现货
封装 MSOP
功能结构 模拟集成电路
制作工艺 半导体集成电路
导电类型 双极型
外形 扁平型
集成度高低 大规模集成电路
应用领域 标准通用
型号 PT6302
规格 MSOP-10
商标 华润矽威
包装 3K
- 产品详情 -
提示:以下模板中任意文字及图片均可执行修改、删除的操作,更多产品描述有助于增加产品对买家的吸引力及搜索曝光率。
 
基本介绍 (产品的基本描述,如定义、功能等)
概述
PT6303 PT6303PT6303PT6303PT6303是一款专为保护 是一款专为保护 是一款专为保护 是一款专为保护 是一款专为保护 是一款专为保护 3串锂离子 /聚合物电 池的聚合物电 池的聚合物电 池的聚合物电 池的聚合物电 池的池保护芯片,可降低因电过充放温 池保护芯片,可降低因电过充放温 池保护芯片,可降低因电过充放温 和/或过流条 件而导致的电池 损坏或寿命 缩短的风险 。
超小型的 MSOPMSOP MSOP-10 封装和 少的外部元件需求使芯片 易于整合至空间有限的电池包里。
±25mV±25mV±25mV±25mV±25mV的过充电检测压 精度 保证 电池 的全容量 充电。 ±10m±10m±10m±10mV的电流检测压精度保证 电流检测压精度保证 电流检测压精度保证 电流检测压精度保证 电流检测压精度保证 电流检测压精度保证 电流检测压精度保证 电流检测压精度保证 电流检测压精度保证 电流检测压精度保证 放电过流准确触 放电过流准确触 放电过流准确触 放电过流准确触 放电过流准确触 放电过流准确触 放电过流准确触 发。
PT6303 PT6303PT6303PT6303PT6303的低功耗设计 让电池包在存储阶段只消耗 微不 足
性能特点 (除基本功能外的其它特质,例如工作时长、操作简便性等)
 内置高精度电压检测电路:
 过充电检测压:
VCOV = 4. = 4.= 4.2V to 4.3 V to 4.3V to 4.3 V to 4.3 75V ;25 mV/stepmV/stepmV/step mV/step mV/step
精度: ±25mV±25mV±25mV±25mV±25mV
 过充电滞后压:
VCOVCOVCOVR = V COV - VΔCOVCOVCOV (0~300mV0~300mV 0~300mV0~300mV0~300mV0~300mV, 100mV/step100mV/step100mV/step100mV/step100mV/step 100mV/step100mV/step100mV/step)
精度: ±25mV±25mV±25mV±25mV±25mV
 过放电检测压:
VCUV =2.3V to 2.9V =2.3V to 2.9V =2.3V to 2.9V =2.3V to 2.9V=2.3V to 2.9V =2.3V to 2.9V =2.3V to 2.9V;0.20.2 V/stepV/step V/stepV/stepV/step
精度: ±50mV0mV0mV
 过放电滞后压:
VCUVCUVCUVR = VCUV + VΔCUVCUVCUV (0.30.3 V~ 0.90.9 V, 0.20.2 V/step V/stepV/step V/step)
精度: ±80mV±80mV±80mV±80mV±80mV
 内置三段放电过电流检测电路:
 过电流 1检测电压:
VPDOC1PDOC1 = 50m V / 75mV V / 75mV V / 75mV V / 75mV V / 75mV 100m100m100m100mV / 15 V / 15 V / 150m V
精度: ±10mV±10mV±10mV±10mV±10mV
 过电流 2检测电压:
VPDOC2PDOC2 = 2* V = 2* V= 2* V PDOC1 PDOC1
精度: ±20mV
 负载短路检测电压:
VPSC =4* V PDOC1PDOC1
精度: ±50mV±50mV±50mV±50mV±50mV
 充电过电流检测电路:
VPCO C = 20mV / 320mV / 320mV / 320mV / 3 20mV / 3 0mV0mV0mV/ 40mV / Disable / 40mV Disable/ 40mV / Disable/ 40mV / Disable/ 40mV / Disable / 40mV Disable / 40mV Disable/ 40mV / Disable/ 40mV / Disable/ 40mV / Disable/ 40mV / Disable
精度: ±6mV @20mV @20mV@20mV
 温度保护电路
 放电过温 保护 DOT DOT
 充电过温保护 COT COT
 低消耗电流:
 工作状态时: < 20μA
 休眠 状态时: < 3μA
 封装:MSOP-10
技术参数 (例如材质、工艺、尺寸的技术标准等)
极限参数(注1)
(无特别说明,Ta=25°C).
VCC
VCC pin voltage
VSS-0.3
VSS+25
V
VLM
LM pin voltage
VSS – 0.3
VCC + 0.3
V
VCDR
CDR pin voltage
VCC - 25
VCC + 0.3
V
VDDR
DDR pin voltage
VSS - 0.3
VCC + 0.3
V
VTS
TS pin voltage
VSS - 0.3
VSS+6
V
VIS
IS pin voltage
VSS - 0.3
VCC + 0.3
V
VB1-3
B1, B2, B3 pin voltage
VSS-0.3
VCC+0.3
V
VCEL2, VCEL3
VB2-VB1 , VB3-VB2 voltage
-5
VCC-VSS
V
PD
Power dissipation
0.15
W
TSTG
Storage temperature
-55
125

注1:最大极限值是指超出该工作范围
工作范围.
VCC
Supply Voltage
3.2
15
V
VCEL1-3
Cell1, Cell2, Cell3 input voltage
2.0
4.5
V
TOPT
Operating temperature
-40
85
使用说明 (例如使用场所、工作原理、产品结构、安全操作说明等)
功能描述
1. 上电过程
当电源接入,VCC上升,当VCC<VPOR,充放电MOSFET默认关闭。当VCC≥VPOR,PT6303启动并检测电池电压和温度。如果没有COV和COT事件,充电MOSFET打开。如果没有CUV和DOT事件,且负载断开或者充电器插入,放电MOSFET打开,PT6303 进入正常工作状态。
2. 放电过电流保护
PT6303有三段放电过电流保护功能。
PDOC1:当VCS≥VPDOC1且延迟时间TD≥TPDOC1,PDOC1触发,放电MOSFET关闭。
PDOC2:当VCS≥VPDOC2且延迟时间TD≥TPDOC2,PDOC2触发,放电MOSFET关闭。
PSC:当VCS≥VPSC且延迟时间TD≥TPSC,PSC触发,放电MOSFET关闭
PDOC1,PDOC2和PSC只有在负载移除时才会解除。
3. 充电过电流保护
PT6303有充电过电流保护功能。
PCOC:当-VCS≥VPCOC且延迟时间TD≥TPCOC,PCOC触发,充电MOSFET关闭。
PCOC需要延迟时间恢复(恢复延迟为TPCOCR)或放电恢复,或者通过应用实现充电器移除恢复。
当PCOC功能被取消时,IS引脚可以用于检测放电MOSFET的RDSON以节省采样电阻。
4. 温度保护
在正常工作条件下,PT6303通过一个B=3950的104AT热敏电阻周期性检测温度。
COT:PT6303一旦连续检测到电池组的温度高于充电过温保护阈值tCOT两次,充电过温保护事件COT触发,充电MOSFET关闭。如果芯片检测到电池处于放电状态,充电MOSFET打开。
芯片一旦连续检测到电池组的温度低于充电过温恢复阈值tCOTR两次,充电过温保护事件就会解除,充电MOSFET打开。
DOT:PT6303一旦检测到电池组的温度高于放电过温保护阈值tDOT,放电过温保护事件DOT触发,充放电MOSFET同时关闭。
芯片一旦检测到电池组的温度低于放电过温恢复阈值tDOTR,放电过温保护事件解除。如果负载开路或者充电器插入,充放电MOSFET打开。
5. 过充电保护
PT6303周期性检测电芯电压,一旦任何一节电池电压连续两次超过VCOV,PT6303进入过充电保护状态(COV),充电MOSFET关闭。在COV状态,PT6303一旦检测到放电电流,充电MOSFET打开。
如果芯片检测到每节电池的电压连续两次低于VCOVR,PT630 出过充电状态,此时若无其他充电保护事件,则打开充电MOSFET。
6. 过放电保护
PT6303一旦检测到任何一节电池电压连续两次低于VCUV,PT6303就进入过放电保护状态(CUV),放电MOSFET关闭,同时打开充电器检测功能。
如果没有其他保护事件,且超过8秒无充电器插入,PT6303进入待机状态,芯片功耗降低至3μA以下。一旦检测到充电器插入,芯片退出待机状态。
如果芯片检测到每节电池的电压连续两次高于VCUVR,PT630 出过放电状态。如果芯片检测到负载移除,且无其他放电保护事件,则打开放电MOSFET。。
7. 关断状态
一旦VCC的电压降低至VPOR-DW以下,芯片进入关断模式,充放电MOSFETs全部关闭,芯片功耗降低至1μA以下。
采购须知 (例如发货时间、运输方式、售后服务事项等)
 
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