华润矽威锂电PT6004
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10000000只
产地
广东省/深圳市
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深圳市鑫顺祥科技有限公司

主营产品:
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- 产品参数 -
商标 华润矽威
型号 PT6004
规格 TSSOP-16
包装 4K
是否有现货
封装 TSSOP
功能结构 模拟集成电路
制作工艺 半导体集成电路
导电类型 双极型
外形 扁平型
集成度高低 大规模集成电路
应用领域 标准通用
型号 PT6004
规格 TSSOP-16
商标 华润矽威
包装 4K
- 产品详情 -
提示:以下模板中任意文字及图片均可执行修改、删除的操作,更多产品描述有助于增加产品对买家的吸引力及搜索曝光率。
 
基本介绍 (产品的基本描述,如定义、功能等)
PT6004 是一款专为保护3~4 串锂离子/聚合物电池的
电池保护芯片,可降低因电池过充,过放,过温和/或过流
条件而导致的电池损坏或寿命缩短的风险。
±25mV 的过充电检测电压精度保证电池 的全容量
充电。±10mV 的电流检测电压精度保证放电过流准确触
发。
PT6004 的充电过温保护阈值和放电过温保护阈值可通
过外部电阻独立设置。
PT6004 将充电过温、放电过温、放电过流/短路事件
通过3 个独立的引脚输出,可配合单片机灵活应用。
PT6004 可以直接驱动外部P 型或N 型的充电
MOSFET 和N 型放电MOSFET,并保留一个特殊的DCTL
引脚,让客户可根据应用控制放电MOSFET。
PT6004 通过NSEL 引脚的设置可保护3 串或者4 串的
电池包
PT6004 的低功耗设计让电池包在存储阶段只消耗微不
足道的电流。
性能特点 (除基本功能外的其它特质,例如工作时长、操作简便性等)
 内置高精度电压检测电路:
 过充电检测电压:
VCOV = 4.1V to 4.35V;50mV/step
精度:±25mV
 过充电滞后电压:
VΔCOV=0~300mV;100mV/step
 过放电检测电压:
VCUV=2.3V to 2.9V;200mV/step
精度:±80mV
 过放电滞后电压:
VΔCUV =300mV~900mV; 200mV/step
 内置三段放电过电流检测电路:
 过电流1 检测电压:
VPDOC1= 50mV to 150mV;25mV/step
精度:±10mV
 过电流2 检测电压:
VPDOC2= 2* VPDOC1
精度:±20mV
 负载短路检测电压:
VPSC= 4* VPDOC1
精度:±50mV
 内置独立的充电过温和放电过温保护,可通过外部电阻
独立设置充电过温保护阈值和放电过温保护阈值
 内置充电低温保护
 各种延迟时间可通过外部电容设置
 DOT、COT 和SC/OC 事件报警信号通过管脚输出
 低消耗电流:
 工作状态时:典型值24μA
 休眠状态时:< 1μA
 封装:SSOP-24
技术参数 (例如材质、工艺、尺寸的技术标准等)
极限参数(注1)
(无特别说明,Ta=25°C)
参数 符号 对应引脚 参数范围 单位
VCC引脚输入电压范围 VCC VCC VSS-0.3 to VSS+35 V
低压引脚电压范围 VIN_LV
CS, CUVT, COVT, TS,
VTD, VTC, OC_ALM,
DOT_ALM, COT_ALM
VSS-0.3 to VSS+5.5 V
高压引脚电压范围 VIN_HV DCTL VSS-0.3 to VSS+35 V
VM 引脚电压范围 VVM VM VSS-0.3 to VCC+0.3 V
电池输入引脚电压范围
VC(n) to VC(n-1), n=2 to 4;
VC1 to VSS
VCELL VC4, VC3, VC2, VC1 -0.3 to +8 V
PCDRV 引脚电压范围 VPCDRV PCDRV VSS-0.3 to VCC+0.3 V
NCDRV 引脚电压范围 VNCDRV NCDRV VCC-35 to VCC+0.3 V
NDDRV 引脚电压范围 VNDDRV NDDRV VSS-0.3 to VSS +15 V
ESD (HBM) (注2) ±2 KV
工作结温范围 TA -40 to +85 °C
存储温度范围 TSTG -40 to +125 °C
PN 结到环境热阻(SSOP-24) JA  130 °C/W
注1:最大极限值是指超出该工作范围
注2:HBM: ANSI/ESDA/JEDEC JS-001-2014
使用说明 (例如使用场所、工作原理、产品结构、安全操作说明等)
功能描述
1. 上电过程
当电源接入,VCC上升,放电MOSFET默认关闭;当VCC≥VPWR-ON,PT6004将检测是否有放电保护事件发生。如果没有放电保护事件且负载断开,驱动打开放电MOSFET,PT6004 进入正常工作状态。
2. 放电过电流保护
PT6004有三段放电过电流保护功能。
PDOC1:当VCS≥VPDOC1且延迟时间TD≥TPDOC1,PDOC1触发,放电MOSFET关闭。
PDOC2:当VCS≥VPDOC2且延迟时间TD≥TPDOC2,PDOC2触发,放电MOSFET关闭。
PSC:当VCS≥VPSC且延迟时间TD≥TPSC,PSC触发,放电MOSFET关闭
PDOC1,PDOC2和PSC只有在负载开路时才会解除。
PDOC/PSC报警:
如图3,当芯片进入PDOC/PSC状态时,OC_ALM向MCU输出低电平报警。
3. 温度保护
在正常工作条件下,PT6004每个TTDET周期轮流检测过温保护和低温保护。
放电状态
DOT:PT6004一旦检测到电池组的温度高于放电过温保护阈值tDOT,放电过温保护DOT触发,充放电MOSFET同时关闭。
DOT恢复:当满足以下条件时,放电过温保护状态将被解除。
a) 电池组温度降低至放电过温恢复阈值tDOTR及以下。
放电过温保护状态解除时,充电MOSFET恢复,放电MOSFET恢复还需要满足以下条件:
a) 负载被移除或者充电器插入。
充电状态
COT:PT6004一旦连续检测到电池组的温度高于充电过温保护阈值tCOT两次,充电过温保护COT触发,充电MOSFET关闭。
COT恢复:当以下两个条件之一发生时,充电过温保护状态就会被解除。
a) 电池组温度低于充电过温保护恢复阈值tCOTR及以下。
b) 检测到放电电流。
CUT:PT6004一旦连续检测到电池组的温度低于充电低温保护阈值tCUT两次,充电低温保护CUT触发,充电MOSFET关闭。
CUT恢复:当以下两个条件之一发生时,充电低温保护状态就会被解除。
a) 电池组温度高于充电低温保护恢复阈值tCUTR及以上。
b) 检测到放电电流。
DOT、COT、CUT阈值设定
图9是温度检测电路,热敏电阻为B=3435的
采购须知 (例如发货时间、运输方式、售后服务事项等)
 
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