ComBond 自动化的高真空晶圆键合系统基本介绍 
 
 
 
ComBond®Automated High-Vacuum Wafer Bonding System
 
 
ComBond®自动化的高真空晶圆键合系统
 
 
 
 
 
高真空晶圆键合平台促进“任何物上的任何东西”的共价键
 
 
 
 
 
EVG ComBond高真空晶圆键合平台标志着EVG  的晶圆键合设备和技术产品组合中的一个新里程碑，可满足市场对 复杂的集成工艺的需求。 EVG ComBond支持的应用领域包括  的工程衬底，堆叠的太阳能电池和功率器件到  MEMS封装，高性能逻辑和“超越CMOS”器件。 
 
 
EVG ComBond系统的模块化集群设计提供了高度灵活的平台，可以针对研发和高通量，大批量制造环境中的各种苛刻的客户需求量身定制。 EVG ComBond促进了具有不同晶格常数和热膨胀系数（CTE）的异质材料的粘合，并通过其  的氧化物去除工艺促进了导电键界面的形成。 EVG ComBond高真空技术还可以实现铝等金属的低温粘合，这种金属可以在周围环境中快速重新氧化。对于所有材料组合，都可以实现无空隙和无颗粒的粘结界面以及出色的粘结强度。
 
 
 
 
 
特征
 
 
高真空，对齐，共价键合
 
 
在高真空环境（<5·10-8 mbar）中进行处理
 
 
原位亚微米面对面对准精度
 
 
高真空MEMS和光学器件封装原位表面和原生氧化物去除
 
 
优异的表面性能
 
 
导电结合
 
 
室温过程
 
 
多种材料组合，包括金属（铝）
 
 
无应力粘结界面
 
 
高粘结强度
 
 
用于HVM和R＆D的模块化系统
 
 
多达六个模块的灵活配置
 
 
基板尺寸最大为200毫米
 
 
完全自动化
 
 
 
 
 
技术数据
 
 
真空度：处理：<7E-8 mbar；处理：<5E-8毫巴
 
 
集群配置
 
 
处理模块：   3，   6
 
 
加载：手动，卡带，EFEM
 
 
可选的过程模块：
 
 
键合模块
 
 
ComBond®激活模块（CAM）
 
 
烘烤模块
 
 
真空对准模块（VAM）
 
 
晶圆直径：高达200毫米；
 
 
 
 ComBond 自动化的高真空晶圆键合系统性能特点 
 

    
 
 
 ComBond 自动化的高真空晶圆键合系统技术参数 
 

    
 
 
 ComBond 自动化的高真空晶圆键合系统使用说明 
 

    
 
 
 ComBond 自动化的高真空晶圆键合系统采购须知