EVG 850LT SOI和直接晶圆键合基本介绍 
 

    
 
 
 EVG 850LT SOI和直接晶圆键合性能特点 
 
 
 
EVG®850 LT
 
 
Automated Production Bonding System for SOI and Direct Wafer Bonding
 
 
EVG 850LT   SOI和直接晶圆键合的自动化生产键合系统
 
 
 
 
 
自动化生产键合系统，适用于多种融合/分子晶圆键合应用
 
 
 
 
 
晶圆键合是SOI晶圆制造工艺以及晶圆级3D集成的一项关键技术。借助用于机械对准SOI的EVG850 LT自动化生产键合系统和具有LowTemp™等离子活化的直接晶圆键合，融合了熔合的所有基本步骤-从清洁，等离子活化和对准到预键合和IR检查-。因此，经过实践检验的行业标准EVG850 LT确保了高达300 mm尺寸的无空隙SOI晶片的高通量，高产量生产工艺。
 
 
 
 
 
特征
 
 
利用EVG的LowTemp™等离子激活技术进行SOI和直接晶圆键合
 
 
适用于各种融合/分子晶圆键合应用       ；生产系统可在高通量，高产量环境中运行
 
 
盒到盒的自动操作（错误加载，SMIF或FOUP）；            的背面处理
 
 
超音速和/或刷子清洁；                    ；   机械平整或缺口对齐的预粘合
 
 
  的远程诊断技术数据
 
 
晶圆直径（基板尺寸）100-200、150-300毫米
 
 
全自动盒带到盒带操作
 
 
预粘接室
 
 
对齐类型：平面到平面或凹口到凹口
 
 
对准精度：X和Y：±50 µm，θ：±0.1°
 
 
结合力：  5 N
 
 
键合波起始位置：从晶圆边缘到中心灵活
 
 
真空系统：9x10-2 mbar（标准）和9x10-3 mbar（涡轮泵选件）
 
 
LowTemp™等离子激活模块
 
 
2种标准工艺气体：N2和O2，以及2种其他工艺气体：高纯度气体（99.999％），稀有气体（Ar，He，Ne等）和合成气（N2，Ar和H4含量  ）
 
 
通用质量流量控制器：  可对4种工艺气体进行自校准，可对配方进行编程，流速最高可达到20.000 sccm
 
 
真空系统：9x10-2 mbar（标准）和9x10-3 mbar（涡轮泵选件），高频RF发生器和匹
 
 
 
 
 
配单元：清洁站；清洁方式：冲洗（标准），超音速喷嘴，超音速面积传感器，喷嘴，刷子（可选）；    腔室：由PP或PFA制成
 
 
清洁介质：去离子水（标准），NH4OH和H2O2（  ）。 2％浓度（可选）
 
 
旋转卡盘：真空卡盘（标准）和边缘处理卡盘（选件），由不含金属离子的清洁材料制成；
 
 
旋转：  3000 rpm（5 s）
 
 
清洁臂：  5条介质线（1个超音速系统使用2条线）
 
 
可选功能：    3迷你环境（根据    14644）；  LowTemp™等离子活化室
 
 
红外检查站