用途：
 
 新型的宽禁带半导体材料,氧化 （Ga2O3）由于自身的优异性能,凭借其比第三代半导体材料SiC和GaN宽的禁带，在紫外探测、高频功率器件等领域吸引了越来越多的关注和研究。氧化 是一种宽禁带半导体，禁带宽度Eg=4.9eV，其导电性能和发光特性良好，因此，其在光电子器件方面有广阔的应用前景，被用作于Ga基半导体材料的绝缘层，以及紫外线滤光片。
 
  青岛晨立生产的氧化 退火炉主要适用于科研单位、高等院校、研究机构及企业。主要用于2-6英寸氧化 的退火等工艺使用。