PVD纯离子真空镀膜设备基本介绍 
 
 
 
        PVD纯离子真空镀膜设备主要是集纯离子镀膜技术(PIC)、高能离子束清洗技术(IONBEAM)和磁控溅射技术(SPUTTER)三种技术融合于一体，其纯离子镀膜源核心技术，利用电磁过滤系统和电磁扫描系统有效过滤掉中性粒子、大颗粒离子团等杂质，大幅度提高等离子束流纯度，使膜层致密硬度高，耐磨性和耐腐蚀性也优异。
 
 
 
 PVD纯离子真空镀膜设备性能特点 
 
 
 
>核心技术、低温镀膜、过滤；
 
 
>均匀性控制 +5% 以内、工艺成熟；
 
 
>膜层性能优：硬度高、摩擦系数低；
 
 
>多种膜层系列、可大批量生产等。
 
 
 
 PVD纯离子真空镀膜设备技术参数 
 
 
 
 
  
 
   
 
    
型号
 
    
PIS213
 
    
PIS422
 
    
PIS622
 
   
 
   
 
    
真空室尺寸
 
    
Ф800*H675(mm)
 
    
Ф1000*H1000(mm)
 
    
Ф1400*H1100(mm)
 
   
 
   
 
    
纯离子镀膜源
 
    
2个
 
    
4个
 
    
6个
 
   
 
   
 
    
等离子清洗源
 
    
1个
 
    
2个
 
    
2个
 
   
 
   
 
    
磁控溅射源
 
    
3个
 
    
2个
 
    
4个
 
   
 
   
 
    
极限真空
 
    
<5.0*10-4Pa
 
    
<5.0*10-4Pa
 
    
<5.0*10-4Pa
 
   
 
   
 
    
最高温度
 
    
<200℃
 
    
<200℃
 
    
<200℃
 
   
 
   
 
    
涂层区域
 
    
Ф575*H250(mm)
 
    
Ф800*H500(mm)
 
    
Ф1180*H600(mm)
 
   
 
   
 
    
控制系统
 
    
全自动工艺控制软件参数实时监测系统
 
    
全自动工艺控制软件参数实时监测系统
 
    
全自动工艺控制软件参数实时监测系统
 
   
 
   
 
    
真空室结构
 
    
立式
 
    
立式
 
    
立式
 
   
 
   
 
    
设备尺寸
 
    
4080*2960*2720(mm)
 
    
4200*2800*2600(mm)
 
    
4800*3150*2900(mm)
 
   
 
   
 
    
功率
 
    
30KW
 
    
40KW
 
    
60KW
 
   
 
   
 
    
备注
 
    
设备可根据客户需求进行定制
 
   
 
  
 
 
 
 
 
 PVD纯离子真空镀膜设备应用领域 
 
 
 
>高校及科研院所;
 
 
>飞机/汽车发动机关键零部件；
 
 
>新能源双极板、纺织零部件；
 
 
>刀具模具、医疗器械、消费电子行业等。