4N60-MOS管-场效应管-MOSFET
　　概述
　　场效应晶体管（Field　Effect　Transistor缩写（FET））简称场效应管。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（10＾8～10＾9Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、  工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。
　　产品特性：
　　热阻低、开关速度快、输入阻抗高、符合RoHS规范
　　主要参数：
　　漏-源电压VDS≥600V　漏极电流ID＝4A　导通电阻RDS≤2.2ohm
　　包装方式
　　管装
　　应用领域
　　电子镇流器、电子变压器、逆变器、电动车充电器、开关电源等。