ITO 靶材
 
Indium Tin Oxide Target：
 
ITO靶材以磁控溅射等方式用于导电玻璃的制备. ITO镀膜具有导电性、对可见光的透明性以及对红外线的反射性三个特性，其广泛用于显示屏、玻璃幕墙、触摸屏、太阳能电池、雷达屏蔽、冰柜、防雾玻璃等产品，尤以显示屏为大宗。
 
ITO 旋转靶材和ITO 平面靶材我们均可提供。
 
我们的ITO旋转靶材已通过G8.5的认证，以无压烧结法制作的ITO靶材具有高密度、高焊合率以及大尺寸的特性。
 
纯度： ≥99.995%
 
杂质元素含量: Si ≤5； Fe ≤3； Ca ≤3； Na ≤3； Cu ≤2； Cd ≤1。
 
 
产品优势：
 
三十道生产工艺；
 
独立检测体系；
 
密度偏差<0.10%；
 
相对密度：≥99.8%；
 
理论密度高达：7.156。
 
 
 
 
 
ITO靶材技术指标
 
specifications of ITO target
 
性能
 
标准值
 
化学成分（wt%）
 
In2O3:SnO2=90:10
 
单块平面靶材最大规格（mm）
 
1200×400×(6.0～10)
 
单块旋转靶材最大规格（mm）
 
Ф135×Ф153×450
 
相对密度
 
≥99.8%
 
理论密度
 
7.156g/cm3
 
体积电阻率
 
1.35×10-4Ω·cm
 
抗弯强度
 
≥150Mpan
 
纯度
 
≥99.995%
 
失氧率
 
≤0.5%
 
 
 
 
ITO靶材稳定性测试
 
THK
 
退火前ITO膜厚465±10Å，退火后400±10Å
 
THK Unif 8%以内，膜厚相对稳定
 
Rs
 
退火前Rs均值在200±20Ω/sq，满足实验线Spec（Spec：AVE>120/sq）
 
退火后Rs均值在60±10Ω/sq，单点最大值<100Ω/sq，满足实验线Spec（Spec：Ave<70Ω/sq，Max<120Ω/sq）
 
CD loss
 
刻蚀后CD loss在-0.3µm~0.3µm之间波动，刻蚀稳定性良好
 
退火后Tr
 
退火后在各波段Tr：450nm>87.5%，550nm>93%，610nm>94.8%（Spec：450nm>85%，550nm>87%，660nm>87%）
 
Particle增量
 
成膜Particle增量随着Mask寿命的增加，有上升趋势，更换Mask后有明显改善。各次测量值均<150EA
 
靶材表面状况
 
靶材表面无开裂、结瘤现象，靶材表面整体稳定性良好