热释光退火炉DF76BR2000A基本介绍 
 
 
  
  
  
  
 热释光退火炉是对热释光探测 器进行热处理的设备，用于热释光探测 器（以下简称探测器）使用前和照射后的热处理 （退火）。便用前的热处理用于消除探测器的残余 剂量（测后剩余剂量）和本底剂量（放置一段时间 后产生的剂量），恢复探测器的初始灵敏度和发光曲 线的形状； 
 
 
 热释光退火炉DF76BR2000A性能特点 
 

  照后低温退火用于消除探测器的低温峰 ，缩短测量周期，多用于大批量探测器的测量中。 退火炉性能： ◇ 控温范围：从环境温度到 400℃连续可调； ◇ 温度显示：3 位数码显示； ◇ 加热体温度波动：≤±2℃； ◇ 升温速度：室温升至 400℃≤lh； ◇ 退火炉外表面温度：≤70℃(400℃)； ◇ 工作时间：连续工作，8h 内温度漂移＜±0.5％； 
 
 
 热释光退火炉DF76BR2000A技术参数 
 

  热释光退火炉是对热释光探测 器进行热处理的设备，用于热释光探测 器（以下简称探测器）使用前和照射后的热处理 （退火）。便用前的热处理用于消除探测器的残余 剂量（测后剩余剂量）和本底剂量（放置一段时间 后产生的剂量），恢复探测器的初始灵敏度和发光曲 线的形状；照后低温退火用于消除探测器的低温峰 ，缩短测量周期，多用于大批量探测器的测量中。 
 
 
 热释光退火炉DF76BR2000A使用说明 
 

  照后低温退火用于消除探测器的低温峰 ，缩短测量周期，多用于大批量探测器的测量中。 退火炉性能： ◇ 控温范围：从环境温度到 400℃连续可调； ◇ 温度显示：3 位数码显示； ◇ 加热体温度波动：≤±2℃； ◇ 升温速度：室温升至 400℃≤lh； ◇ 退火炉外表面温度：≤70℃(400℃)； ◇ 工作时间：连续工作，8h 内温度漂移＜±0.5％；照后低温退火用于消除探测器的低温峰 ，缩短测量周期，多用于大批量探测器的测量中。 退火炉性能： ◇ 控温范围：从环境温度到 400℃连续可调； ◇ 温度显示：3 位数码显示； ◇ 加热体温度波动：≤±2℃； ◇ 升温速度：室温升至 400℃≤lh； ◇ 退火炉外表面温度：≤70℃(400℃)； ◇ 工作时间：连续工作，8h 内温度漂移＜±0.5％； 
 
 
 热释光退火炉DF76BR2000A采购须知 
 

  热释光退火炉是对热释光探测 器进行热处理的设备，用于热释光探测 器（以下简称探测器）使用前和照射后的热处理 （退火）。