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锑化铟InSb砷化镓GaAs霍尔元件
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- 产地
- 江苏省/南京市
- 发货期
- 自买家付款之日起15天内发货
- 产品参数 -
| 商标 | Cnd |
|---|---|
| 型号 | Ds302b |
| 规格 | Top-14 |
| 包装 | 袋装 |
| 型号 | Ds302b |
| 规格 | Top-14 |
| 商标 | Cnd |
| 包装 | 袋装 |
- 产品详情 -
锑化铟InSb砷化镓GaAs霍尔元件基本介绍系列锑化铟InSb砷化镓(GaAs)霍尔元件
SJ系列锑化铟InSb砷化镓霍尔元件是一种采用Ⅲ-Ⅴ族半导体材料锑化铟InSb砷化镓(GaAs)单晶,用离子注入工艺制作的磁电转换元件，可将磁场强度信号线性地转换成电压信号输出。锑化铟InSb砷化镓GaAs霍尔元件性能特点产品特点
• 磁灵敏度高
• 线性度优 .
• 温度稳定性好
• 不等位电压低
• 采用微型封装
锑化铟InSb砷化镓GaAs霍尔元件技术参数典型应用
• 磁场测量
• 无刷电机
• 电流传感器
• 无触点开关
• 位置控制
• 转速检测
锑化铟InSb砷化镓GaAs霍尔元件使用说明极限参数
参 数符 号
量 值
单位
最大控制电流
Ii
10
mA
工作温度范围
Ta
-55~125
℃
贮存温度范围
TS
-55~150
℃
锑化铟InSb砷化镓GaAs霍尔元件采购须知电特性 (TA=25℃)
参 数
符号
测 试 条 件
量 值
单 位
霍尔输出电压
VH
B=100mT Ii=5mA
60~200
mV
不等位电压
VO/VH
Ii=5mA B=0/B=100mT
≤12
%
输入电阻
Ri
Ii=1mA
550~1200
Ω
输出电阻
Ro
Ii=1mA
1100~2400
Ω
VH的温度系数
αVH
Ii=5mA B=100mT
-0.07
%/℃
输入电阻与输出电阻的温度系数
αi,o
Ii=1mA B=0 mT
0.3
%/℃
线性度
△KH
Ii=5mA B=0~300mT
<2
%
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