GaN on Sapphire氮化 衬底晶片工厂
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供货总量
10000000片
产地
江苏省/苏州市
发货期
自买家付款之日起14天内发货

苏州恒迈瑞材料科技有限公司

身份认证
主营产品:
碳化硅晶锭厂家,碳化硅切割片厂家,硅基氮化 外延片厂家,碳化硅基氮化 外延片厂家,碳化硅衬底生产厂家,TAB卷料芯片厂家,氮化 衬底片厂商,碳化硅同质外延片厂家,Chip on Film设计生产,卷带式COF封装工厂,COF柔性封装基板厂家,COF卷料冲切加工
- 产品参数 -
型号 非掺
规格 4英寸
包装 晶圆盒
加工定制
种类 化合物半导体
特性 4英寸
用途 器件
型号 非掺
规格 4英寸
包装 晶圆盒
- 产品详情 -

GaN on Sapphire氮化 晶片工厂

苏州恒迈瑞材料科技生产供应氮化 复合衬底片,衬底结构为GaN on Sapphire,尺寸目前有2英寸,4英寸。导电类型分为n型非掺杂、n型掺杂,及Mg镁掺杂,抛光要求可为单抛或双抛。

氮化 外延厚度:4.5um±0.5um/ 20um±2um

晶向:C-plane(0001)±0.5°

位错密度:≤5x108cm-2

抛光要求:单抛/双抛

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