产品型号HG302C(即hg302C、HG-302C、hg-302C)
 
　　品牌：AKM(旭化成)
 
　　霍尔特性：GaAs砷化镓高灵敏度型霍尔
 
　　工作温度：-40°C～125°C
 
　　电压：55mV
 
　　输入阻抗：650Ω
 
　　输出阻抗：650Ω
 
　　封装：4-pin SIP ;DIP-4
 
　　包装：500 pcs/袋
 
　　备注：In stock/ New original packing/ Rohs无铅环保
 
　　HG302C 与THS119可以互相替代
 
　　HG302C广泛应用于
 
　　开环霍尔效应电流传感器、钳流表
 
　　GaAs砷化镓作为第二代半导体，其电子迁移率比硅高6倍，砷化镓成为  速、  频器件和集成电路的必需品。砷化镓单晶因其价格昂贵而素有“半导体  ”之称，制成的半导体器件相对于传统的硅半导体具有高频、高温、低温性能好、噪声小、抗辐射能力强等优点，这就使得使用该材料制作的霍尔线性器件具有  的可靠性和稳定性， 适合用于安全性、速度要求  的领域(诸如安防、精密设备制造等)。