特性：
 
 1.       采用碳化硅（SiC）材料
 
 2.       宽频段（UVA+UVB+UVC）
 
 3.       有效探测区域36mm2
 
 4.       10uW/cm2峰值辐射照度产生约468nA电流
 
 5.       芯片高度稳定性（通过德国PTB认证）
 
 关于碳化硅材料（SiC）：
 
 SiC可承受极端辐射硬度，近乎  的可见盲区，低暗电流，高速响应和低噪音的  属性；这些功能使SiC成为可见盲区紫外探测器的  使用材料。SiC探测器可以  工作在高达170℃的温度中，信号（响应率）的温度系数也很低，<0.1%/K。由于（fA级别的暗电流）噪音低，很低的紫外线辐射强度也可以可靠地测量，（需要适当的放大器）。
 
 SiC光电二极管可作为未滤波的宽带探测设备或带有光学滤波器，提供对UVA、UVB、UVC波段的响应。
 
 技术参数:
 
 
 
 
  
 型号
 
  
 SG01F-5ISO90
 
 
 
 
 
  
 响应率
 
  
 0.13A/W
 
 
 
 
 
  
 波长典型值
 
  
 280nm
 
 
 
 
 
  
 波长范围（S=0.1*Smax）
 
  
 221-358nm
 
 
 
 
 
  
 可见盲区（Smax/S>405nm）
 
  
 >1010
 
 
 
 
 
  
 有效探测区域
 
  
 36mm2
 
 
 
 
 
  
 暗电流（1V反向偏压）
 
  
 120fA
 
 
 
 
 
  
 电容
 
  
 9000pF
 
 
 
 
 
  
 短路电流（10uW/cm2峰值辐射照度）
 
  
 约468nA
 
 
 
 
 
  
 温度系数
 
  
 <0.1%/K
 
 
 
 
 
  
 操作温度
 
  
 -55～+170℃
 
 
 
 
 
  
 储存温度
 
  
 -55～+170℃
 
 
 
 
 
  
 焊接温度（3S）
 
  
 260℃
 
 
 
 
 
  
 反向电压VRmax
 
  
 20V
 
 
 
 
 
  
 物理特性
 
  
 采用T08金属外壳密封，2针脚绝缘，1针脚接地
 
 
 
 
  应用领域：
 
         主要用于火焰控制(工业锅炉)，水处理( UV强度的保险)，UV天文(阵列探测)，  跟踪(紫外线照相机)，臭氧和污染物监测，火焰感应(火 安全装置油滴监测)，测试太阳光中的紫外线强度(礼品、化妆品用具)，紫外线灯管的紫外线发生强度测试(医疗器械或民用消毒碗柜的消毒效率检验)等。