型号 | Dp8205 |
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包装 | 3000/包 |
封装 | Tssop-8/sot23-6 |
功能结构 | 模拟集成电路 |
制作工艺 | 薄膜集成电路 |
导电类型 | 双极型 |
外形 | 扁平型 |
集成度高低 | 超大规模集成电路 |
型号 | Dp8205 |
包装 | 3000/包 |
简介:DP8205是双路增强型的N沟道MOSFET。连续电流可达5A.耐压可达20V。据有低漏电流,低导通电阻等特点。DP8205典型导通内阻小。为小型TSSOP8/TSOP6封装,内部两管的D级已连通在一起,方便应用。封装:此IC有2种封装:TSSOP-8,TSOP-6。特征:GS间电压:±12VGS间漏电流:<100nA低导通电阻:<30mR@2.5vDS间耐压:20VDS间漏电流:<1uA控制启动电压:典型0.7vDS连续电流:可达5A内部二级管压降:<1.2V应用:DC-DC转换器锂电池保护板MP3,MP4,GPS移动电源