IGBT简介：IGBT(绝缘栅双极性晶体管)是常见的功率器件，期间经常使用在强电流高电压的场景中，如电动汽车、变电站等。器件结构由MOSFET及BGT组合而成，兼具了高输入阻抗及低导通压降的优点，IGBT是电力电子设备的“cpu”，被国家列为重点研究对象。IGBT测试难点：1、由于IGBT是多端口器件，所以需要多个测量模块协同测试。2、IGBT的漏电流越小越好，所以需要高精度的设备进行测试。3、IGBT动态电流范围大，测试时需要量程范围广，且量程可以自动切换的模块进行测试。4、由于IGBT工作在强电流下，自加热效应明显，脉冲测试可以减少自加热效应，所以MOSFET需要进行脉冲IV测试，用于评估期间的自加热特性。5、MOSFET的电容曲线是其特性表征的重要内容，且与其在高频应用有密切关系。所以IGBT的电容测试非常重要。6、IGBT开关特性非常重要，需要进行双脉冲动态参数的测试。半导体功率器件测试系统认准武汉生产厂家普赛斯仪表，普赛斯以自主研发为导向，深耕半导体测试领域，在I-V测试上积累了丰富的经验，先后推出了直流源表，脉冲源表、高电流脉冲源表、高电压源测单元等测试设备，广泛应用于高校研究所、实验室，新能源，光伏，风电，轨交，变频器等场景。详询一  四零六六三四七六半导体功率器件测试系统简介功率器件静态参数测试系统集多种测量和分析功能一体，可  测量功率器件（MOSFET、BJT、IGBT等）的静态参数，电压可高达3KV,电流可高达4KA。该系统可测量不同封装类型的功率器件的静态参数，具有高电压和大电流特性，uΩ级电阻，p  电流  测量等特点。支持高压模式下测量功率器件结电容，如输入电容，输出电容、反向传输电容等。产品特点高电压：支持高达3KV高电压测试；大电流：支持高达4KA大电流测试；高精度：支持uΩ级电阻、p  电流、uV级  测量；丰富模板：内置丰富的测试模板，方便用户快速配置测试参数；配置导出：支持一键导出参数配置及一键启动测试功能；数据预览及导出：支持图形界面以及表格展示测试结果，亦可一键导出；模块化设计：内部采用模块化结构设计，可自由配置，方便维护；可拓展：支持拓展温控功能，方便监控系统运行温度；可定制开发：可根据用户测试场景定制化开发；技术指标半导体功率器件测试系统应用功率器件如二极管、三极管、MOS管、IGBT、SIC、GaN；