TP-6半导体紫外线（UV）传感器
　　
　　氮化 紫外线传感器，是在北京大学宽禁带半导体研究中心的工艺基础之上，在关键技术上取得了突破，研制成功了氮化 紫外线传感器。目前传感器的主要性能指标达到了较高水平，传感器的结构以PN结型或SCHOTTKY结型光电二极管方式，可以用作各类紫外产品的传感器探头。
　　
　　氮化 是新一代宽禁带半导体材料，禁带宽度达到3.4电子伏，利用这种材料研制的传感器，紫外线响应，主要响应区域覆盖了（UVA和UVB）波段。由于具有特有的可见光不响应的所谓可见抑制效果，因此测量紫外光时不需要滤光片来抑制可见引起的“假”信号，量子效率高，应用中容易获得较高的灵敏度。手机上携带的紫外线传感器能够探测到人眼察觉不到的环境紫外线辐射强度，能够主动提示用户采取防护措施。它特别适合婴幼儿和爱美女性的皮肤保护以及长期从事户外工作与野外旅游的人们，具有潜在的广大市场需求。
　　
　　主要技术指标：
　　封装：Φ3发光管结构封装。
　　主要成份：氮化 （GaN）、铝 氮（AlGaN）、蓝宝石（AL2O3）、金电极。
　　输出信号：紫外线指数大于2时产生＞20mv以上的电压输出。