商标 | 捷捷微 |
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型号 | Jmsh1001ae7 |
规格 | 800/盘 |
是否有现货 | 是 |
品牌 | 捷捷微 |
类型 | 增强型MOS管(N沟道) |
材料 | N-FET硅N沟道 |
封装外形 | CHIP/小型片状 |
用途 | 其它 |
导电方式 | 增强型 |
型号 | Jmsh1001ae7 |
规格 | 800/盘 |
商标 | 捷捷微 |
规格:JMSH1001AE7
最大耗散功率(Pd(max)):313
漏源电压(Vdss):100
连续漏极电流(Id):290
栅源电压(VGSS):±20
工作温度范围:-55°C~150°C
FET类型:N沟道
栅极电荷(Qg):155
截止频率(ft):1 MHz
漏源导通电阻(RDS (on)):1.6
输入电容(Ciss):9623
阈值电压(VGS(th)):2.7