4803MOSFET管sop-8双P沟道  功率MOS晶体管4803mos管采用  的沟槽技术提供具有低栅极电荷的出色RDS（ON），具有低RDS（on）@VGS=-5V，5V逻辑电平控制，双P沟道SOP8封装，超过最大额定值的应力可能会损坏设备，最大额定值仅为压力等级，长期暴露于高于  操作条件的应力可能影响设备可靠性。骊微电子4803mos管该设备适合用作负载开关或PWM应用，针对电源管理进行了优化便携式产品的应用，例如H桥，变频器车载充电器及其他。4803mos管产品特征：？低RDS（on）@VGS=-5V？5V逻辑电平控制？双P沟道SOP8封装4803MOSFET管  最大额定值：超过最大额定值的应力可能会损坏设备。最大额定值仅为压力等级。功能操作如上不暗示  的操作条件。长期暴露于高于  操作条件的应力可能影响设备可靠性。骊微电子是一家销售：三极管、场效应MOS管、二三极管、集成IC等产品的经销批发商，经销的：场效应MOS管、二三极管、IC电子元器件品种齐全、价格合理，并提供电源领域相关软硬件设计服务，提供方案设计、生产、客诉等一条龙技术服务，系统解决客户技术后顾之忧。