同步整流芯片12V3A适配器方案
价格
面议
订货量
≥1
最小起订量
≥1
供货总量
100000件
产地
广东省/深圳市
发货期
自买家付款之日起3天内发货

深圳市骊微电子科技有限公司

身份认证
主营产品:
集成电路,场效应管,肖特基二极管,电子元件
- 产品参数 -
封装 DIP
功能结构 模拟集成电路
制作工艺 半导体集成电路
导电类型 双极型
集成度高低 为小规模集成电路
应用领域 标准通用
- 产品详情 -
随着DoE六级能效及CoCV5Tier2的实施,同步整流取代肖特基已成为大势所趋,骊微电子推出新一代精简  12V3A六级能效充电器/适配器方案:PN8275+PN8308H    BOM降低20%,效率高达87%,满足六级能效的传统12V3A六级能效同步整流方案。六级能效同步整流方案概述:PCBA尺寸:39.0mm*86.0mm输入电压:90~265Vac全电压输出功率:36W(Typical)平均效率:≥88.3%(满足CoCV5Tier2六级能效要求)待机功耗:<50mW(Vin=265Vac)输入欠压保护、输入过压保护、输出过压保护,输出过流保护等PN8275是一款集成了高压启动的电流模式的开关电源芯片,结合多模式混合调制技术和X电容放电功能实现六级能效,并符合IEC62368-1:2014标准要求(CB证书编号:DK-76617-UL);PN8275提供了全面保护功能包括输入市电欠压保护、市电过压保护、输出过压保护、OTP、OCP、次级整流管短路保护等。PN8308H包括DCM/CCM模式同步整流控制器及80V/10mΩ智能功率MOSFET,用于在9-20V的反激系统中替代次级整流肖特基二极管。PN8308H  精简,采用  电流跟踪技术,可在50ns内快速关断,改善系统EMI特性,  避免直通损坏并降低SR开关尖峰电压。如何实现低待机功耗:PN8275内置850V高压启动及放电模块,265Vac轻松实现50mW待机功耗!如何提高转换效率:PN8308H内置80V/10mΩ智能功率MOSFET,115Vac/230Vac平均效率大于92%!如何简化EMC设计:PN8275内置X电容放电模块,可通过增大X电容简化传导设计;PN8308H采用  电流跟踪技术降低SR开关尖峰电压,改善辐射3dB以上!12V3A六级能效适配器方案亮点:输出规格:12V/3A内置850V高压模块实现X放电功能HV脚可实现  市电异常保护:OVP、Brownin/out高压启动+多工作模式+同步整流技术,满足CoCV5Tier2、DCM模式同步整流虽然技术成熟,但应用场合一般受限于小功率充电器,CCM模式同步整流支持任何模式原边芯片,因此应用功率  、应用场合 广,PN8308因  精简、EMC性能  、支持任意工作模式、贴片封装并无需散热片,被广泛应用于12V2A-12V3A六级能效适配器,如需12V3.0A六级能效36W适配器应用方案的详细资料,可向骊微电子申请。>>>
朋友圈二位码

长按二维码,保存至相册。
发送给微信好友。