功率半导体器件的动、失效分析测试服务中心基本介绍西安长禾半导体技术有限公司功率器件测试实验室(简称长禾实验室)位于西安市高新技术经济开发区，是一家专业从事功率半导体器件测试服务的高新技术企业，是国家CNAS认可实验室，属于国家大功率器件测试服务中心。功率半导体器件的动、失效分析测试服务中心性能特点长禾实验室拥有  的系统设备、专业的技术团队和完善的服务体系。实验室现有  的测试仪器设备100余台套，专业测试人员20余名。我们紧跟国际国内标准，以客户需求为导向，不断创新服务项目和检测技术，借助便利的服务网络，为    提供    的技术服务。功率半导体器件的动、失效分析测试服务中心技术参数检测项目覆盖产品检测能力参考标准功率循环试验（PC）IGBT模块ΔTj=100℃电压电流  1800A12VIEC客户自定义高温反偏试验（HTRB）MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR，第三代半导体器件等单管器件温度最高150℃；电压最高2000V美 标，国标，JEDEC，IEC，AEC,客户自定义等高温门极试验（HTGB）MOSFET、SiCMOS等单管器件温度最高150℃；电压最高2000V美 标，国标，JEDEC，IEC，AEC,客户自定义等高温工作寿命试验（HTOL）MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、第三代半导体器件等单管器件温度最高150℃电压最高2000V美 标，国标，JEDEC，IEC，AEC,客户自定义等低温工作寿命试验（LTOL）MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、第三代半导体器件等单管器件温度  -80℃电压  2000V美 标，国标，JEDEC，IEC，AEC,客户自定义等高温储存试验（HTSL）MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、IGBT模块、第三代半导体器件等产品及其他电子产品温度最高150℃；美 标，国标，JEDEC，IEC，AEC,客户自定义等低温储存试验（LTSL）MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、IGBT模块、第三代半导体器件等产品及其他电子产品温度  -80℃美 标，国标，JEDEC，IEC，AEC,客户自定义等高温高湿试验（THB）MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、IGBT模块、第三代半导体器件等产品及其他电子产品温度最高180℃湿度范围：10%~98%美 标，国标，JEDEC，IEC，AEC,客户自定义等高低温循环试验（TC）MOSFET、IGBT、IDIODE、BJT、SCR、IC、IGBT模块、第三代半导体器件等产品及其他电子产品温度范围：-80℃~220℃美 标，国标，JEDEC，IEC，AEC,客户自定义等间歇寿命试验（IOL）功率循环试验（PC）MOSFET、DIODE、BJT、IGBT及第三代半导体器件等单管器件ΔTj≧100℃电压电流  48V，10A美 标，国标，JEDEC，IEC，AEC,客户自定义等稳态功率试验（SSOL）MOSFET、DIODE、BJT、IGBT及第三代半导体器件等单管器件ΔTj≧100℃电压电流  48V，10A美 标，国标，JEDEC，IEC，AEC,客户自定义等高加速应力试验（HAST）MOSFET、DIODE、BJT、IGBT及第三代半导体器件等产品及其他电子产品温度130℃/110℃湿度85%美 标，国标，JEDEC，IEC，AEC,客户自定义等*无偏压的高加速应力试验（UHAST）MOSFET、DIODE、BJT、IGBT及第三代半导体器件等产品及其他电子产品温度130℃湿度85%美 标，国标，JEDEC，IEC，AEC,客户自定义等高温蒸煮试验（PCT）MOSFET、DIODE、BJT、IGBT及第三代半导体器件等产品及其他电子产品温度121℃湿度    美 标，国标，JEDEC，IEC，AEC,客户自定义等预处理试验（Pre-con）所有SMD类型器件设备满足各个等级的试验要求美 标，国标，JEDEC，IEC，AEC,客户自定义等潮气敏感度等级试验（MSL）所有SMD类型器件设备满足各个等级的试验要求美 标，国标，JEDEC，IEC，AEC,客户自定义等*可焊性试验（Solderability）MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、第三代半导体器件等单管器件有铅、无铅均可进行美 标，国标，JEDEC，IEC，AEC,客户自定义等功率半导体器件的动、失效分析测试服务中心使用说明长禾实验室专注于功率半导体器件的动、静态参数检测、可靠性检测、失效分析、温循试验、热阻测试等领域的技术服务。业务范围主要涉及国内轨道交通、风力发电、科研单位、  院所、工业控制、  船舶、航空  、