NT-CVD（G）系列真空高温管式炉专门设计用于高温CVD工艺,如ZnO纳米结构的可控生长、氮化硅渡膜、陶瓷基片导电率测试、陶瓷电容器（MLCC）气氛烧结等等。窑炉采用氧化铝纤维制品隔热、保温，国产  硅钼棒加热，  刚玉管炉膛,系统可预抽真空，气体采用浮子流量计控制。进口单回路智能温度控制仪控制，设备具有温度均匀、控制稳定、升温速度快、节能、使用温度高、寿命长等特点，是理想的科研设备。一、技术指标：设备型号NT-CVD(G)-08/50/1温区最高温度1650℃；(  恒温时间：≥10小时)；常用温度：1600℃(  恒温时间：≥100小时)加热有效容积Φ72（内经）×500mm;恒温区尺寸：Φ72（内经）×250mm炉管实际尺寸Φ80（外径）×1400mm（国产  刚玉管）炉膛材料氧化铝纤维制品控制温区点数1个，1支B分度热偶设备温场温差±1℃，日本岛电进口40段程序控制仪表(1只)加热元件  硅钼棒最大加热功率12Kw保温功率5kw最大升温速率3℃∽10℃/min;