DBC-112可控硅静态综合测试设备基本介绍针对晶闸管的静态参数而研发的智能测试设备，电压8500V、10000A（可扩展），自动化程度高，按照操作人员设定的程序自动工作。计算机记录测试结果，测试结果可转化为文本或EXCEL格式存储，工作时序、开关的动作状态、数据采集等均由计算机和PLC共同完成。DBC-112可控硅静态综合测试设备性能特点测试方法灵活，可测试单个单元和多单元的模块，系统  稳定，整体采用轮式机柜集成测试，具有简洁的人机交互界面（计算机）和良好的保护措施，操作简单，移动方便等特点。DBC-112可控硅静态综合测试设备技术参数系统单元及参数条件门极触发电压/门极触发电流测试单元IGT/VGT阳极电压：12V阳极串联电阻：6Ω门极触发电压：0.3～5.00V±3%±10mV门极触发电流：2～450mA±3%±1mA维持电流测试单元IH阳极电压：12V预导通电流：＞10A,正弦衰减波维持电流：2～450mA±5%±1mA测试频率：单次通态压降测试单元VTM平板器件通态电流：0.10～10.00kA,分辨率：0.01kA，精度±10A±5%模块器件通态电流：0.10～2.00kA,分辨率：0.01kA，精度±10A±5%电流上升沿时间：≥5ms通态压降测试范围：0.20～10.00V,分辨率：0.01V，精度±0.1V±5%测试频率：单次断态电压/断态漏电流VD/ID反向电压/反向漏电流VR/IR测试单元阻断电压：0.20～8.50kV,分辨率：0.01kV,精度±0.1kV±3%模块单元阻断电压：0.20～4.00kV正反向自动测试正/反向漏电流：0.2～100mA,分辨率：0.1mA,精度±5%±1mA输出保护电压和电流可计算机设定范围值；在测试时电压或漏电流超过所设定的范围则自动保护，测试频率：50HZ断态电压临界上升率测试单元dv/dt电压：1200V,1600V,2000V三档，1V，±5%电压过冲范围：＜50V±10%DV/DT电压上升率三挡选择：dv/dt：800V/μs、1000V/μs，1200V/μs±10%阻断参数测试单元测量晶闸管的VDRM、VRRM、IDRM、IRRM以及整流二极管的VRRM、IRRM等参数。擎住电流IL100-1800mA平板夹具压力范围6-60KN，气动加压方式门极电阻5-50R计算机控制系统设备的所有工作程序，工作时序，开关的动作状态，数据的采集等均由计算机完成。工业控制机，具有抗电磁干扰能力强，排风量大等特点。DBC-112可控硅静态综合测试设备使用说明DBC-112可控硅静态综合测试设备采购须知