可控硅高温阻断耐久性试验台
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产地
陕西省/西安市
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西安智盈电气科技有限公司

身份认证
主营产品:
半导体测试设备,IGBT,可控硅,碳化硅
- 产品参数 -
商标 西安智盈电气
型号 Zy-1600r
规格 Zy-1600r
包装 立式
产量 10
是否有现货
元器件种类 半导体器件测试仪
型号 Zy-1600r
规格 Zy-1600r
商标 西安智盈电气
包装 立式
- 产品详情 -
产品简介该测试系统是晶闸管静态参数检验测试中不可缺少的专用测试设备。该套测试设备主要有以下几个单元组成:1)门极触发参数测试单元2)维持电流测试单元3)阻断参数测试单元4)通态压降参数测试单元5)电压上升率参数测试单元6)擎住电流7)门极电阻8)计算机控制系统9)合格证标签打印10)夹具单元;包含平板夹具和模块夹具二、技术条件主要技术指标:2.1门极触发电压/门极触发电流测试单元IGT/VGT1.阳极电压:12V;2.阳极串联电阻:6Ω;3.门极触发电压:0.3~5.00V±3%±10mV;4.门极触发电流:2~450mA±3%±1mA;2.2维持电流测试单元IH1.阳极电压:12V;2.预导通电流:>10A,正弦衰减波;3.维持电流:2~450mA±5%±1mA;4.测试频率:单次;2.3通态压降测试单元VTM1.平板器件通态电流:0.10~5.00kA,分辨率:0.01kA,精度±10A±5%;2.模块器件通态电流:0.10~2.00kA,分辨率:0.01kA,精度±10A±5%;3.电流上升沿时间:≥5ms;4.通态压降测试范围:0.20~10.00V,分辨率:0.01V,精度±0.1V±5%;5.测试频率:单次;2.4断态电压/断态漏电流VD/ID;反向电压/反向漏电流VR/IR测试单元1.阻断电压:0.20~6.00kV,分辨率:0.01kV,精度±0.1kV±3%;模块单元阻断电压:0.20~4.00kV2.正反向自动测试:3.正/反向漏电流:0.2~100mA,分辨率:0.1mA;精度:±5%±1mA;4.输出保护电压和电流可计算机设定范围值;在测试时电压或漏电流超过所设定的范围则自动保护。5.测试频率:50HZ2.5断态电压临界上升率测试单元dv/dt1.电压:1200V,1600V,2000V三档,分辨率:1V,精度±5%;2.电压过冲范围:<50V±10%3.DV/DT电压上升率三挡选择:dv/dt:800V/μs、1000V/μs、1200V/μs、精度±10%;2.6擎住电流IL:100-1800mA2.7平板夹具压力范围:6-60KN,气动加压方式三、功能概述3-1测试功能范围该套测试设备主要可测试以下参数:1.门极参数测试:VGT、IGT2.维持电流测试:IH3.阻断参数测试:本测试单元可用以测量晶闸管的VDRM、VRRM、IDRM、IRRM以及整流二极管的VRRM、IRRM等参数。4.压降单元本测试单元用来测量晶闸管、整流管的VTM、ITM、VFM、IFM等参数。5、电压上升率参数测试:dv/dt6、擎住电流IL7、门极电阻:适合门极触发电压在0.95V以上器件测试3-2、测试方法和测试准则及原理满足IEC60747-6-2000中关于晶闸管测试的具体规定。北京半导体测试行业
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