半绝缘型碳化硅衬底片生产厂商 SiC晶片
 
碳化硅衬底主要分为导电型和半绝缘型，导电型碳化硅衬底以n型衬底为主，主要用于外延GaN基LED等光电子器件、SiC基电力电子器件等，半绝缘型SiC碳化硅衬底主要用于外延制造GaN高功率射频器件。另外高纯半绝缘HPSI与SI半绝缘是有区别的，高纯半绝缘载流子浓度3.5*1013~8*1015/cm3范围，具有较高的电子迁移率；半绝缘是高阻材料，电阻率很高，一般用于微波器件衬底，不导电。
 
半绝缘型碳化硅衬底片生产厂商 SiC晶片
 
SiC晶体结构决定了其  的物理，相对于Si和GaAs，SiC拥有 为  的物理性质；禁带宽度大，接近于Si的3倍，保证器件在高温工作下的长期可靠；击穿场强高，是Si的1O倍，保证器件耐压容量，提高器件的耐压值；饱和电子速率大，是Si的2倍，增加器件的工作频率和功率密度；热导率高，超过Si的3倍，增加了器件的散热能力，实现设备的小型化等。