4寸碳化硅基氮化 外延片生产厂家RF HEMT
 
苏州恒迈瑞作为GaN氮化 外延片生产厂家，供应4英寸6英寸SiC碳化硅基GaN氮化 外延片，使用   产品级半绝缘碳化硅衬底，GaN-on-SiC结合了碳化硅优异的导热性和GaN高功率密度、低损耗能力，衬底上的器件可在高电压和高漏极电流下运行，结温将随RF功率缓慢升高，RF性能好，目前多数GaN射频器件的衬底都是碳化硅。氮化 材料具有宽禁带、强原子键、高热导率、化学稳定性好和强抗辐照等性质，在光电子、功率器件和高频微波器件应用方面有着广阔的前景。GaN器件被广泛用于无线设备中，频率高达100 GHz的功率放大器，主要用于  雷达、卫星发射器和通用射频放大。由于GaN器件用于高压(高达1,000 V)、高温和快速开关，它们也被纳入各种开关电源应用，如DC-DC转换器、逆变器和电池充电器。