6英寸碳化硅晶锭厂家D级 电镀减薄砂轮粗磨精磨测试
 
当前世界上的半导体元件，绝大多数是以第一代半导体材料硅基半导体为主，约占95%的份额，但是随着电动，5G通讯等新兴技术的发展，以化，碳化硅为代表新型基材越来越受到重视。恒迈瑞公司为国内外客户生长供应6英寸测试D级碳化硅晶锭，晶锭厚度约20mm左右，采用PVT法长晶工艺，测试D级碳化硅晶锭可用于电镀减薄砂轮粗磨精磨测试，激光冷剥离设备测试，激光冷切割测试等等。
 
第三代半导体，以碳化硅为代表，其具有禁带宽度大，击穿电场高，饱和电子漂移速度高，导热率大等特点，特别是在1200V的高压环境中，有着明显的优势。研磨工艺是去除切割过程中造成碳化硅晶片的表面刀纹以及表面损伤层，修复切割产生的变形。由于SiC的高硬度，研磨过程中必须使用高硬度的磨料（如碳化硼或金刚石粉）研磨SiC切片的晶体表面。
 
常规的研磨工艺一般分为粗磨和精磨。
 
1)常规双面磨工艺目前国内较多的碳化硅衬底厂商已经在规模化生产的工艺方案。
 
a)粗磨：采用铸铁盘+单晶金刚石研磨液双面研磨的方式
 
该工艺可以有效的去除线割产生的损伤层，修复面型，降低TTV，Bow，Warp，去除速率稳定，一般能达到0.8-1.2um/min的去除率。但该工艺加工后的晶片表面是亚光面, 粗糙度较大，一般在50nm左右，对后工序的去除要求较高。
 
b)精磨：采用聚氨酯发泡Pad+多晶金刚石研磨液双面研磨的方式
 
该工艺加工后的晶片表面粗糙度低，能达到Ra<3nm，这有利于碳化硅衬底片后工序的抛光，但划伤不良一直存在。且该工艺使用的是法工艺制备的多晶金刚石，其生产难度大，产量低，价格。