晶闸管、IGCT 动态参数测试设备
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10件
产地
陕西省/西安市
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西安智盈电气科技有限公司

身份认证
主营产品:
半导体测试设备,IGBT,可控硅,碳化硅
- 产品参数 -
商标 西安智盈电气
型号 Zy-1600r
规格 Zy-1600r
包装 立式
产量 10
是否有现货
元器件种类 半导体器件测试仪
型号 Zy-1600r
规格 Zy-1600r
商标 西安智盈电气
包装 立式
- 产品详情 -
系统概述:本设备适用于模块及平板型晶闸管及整流管断态电压临界上升率、通态峰值电压、关断时间、恢复电荷以及反向恢复电流和反向恢复时间的测量。本设备符合国家JB/T7626-2013标准〖反向阻断三极晶闸管〗测试方法。系统单元:电流上升率di/dt关断时间Turnofftime恢复电荷Recoverycharge示波器Oscilloscope计算机单元Computerunit反向恢复电流Reverserecoverycurrent反向恢复时间Reverserecoverytime接口切换单元Interfaceswitchingunit自动恒温压力夹具Automaticthermostaticpressureclamp断态电压临界上升率测试单元Off-statevoltagecriticalriseratetestunit参数指标:断态电压临界上升率测试单元断态电压测试范围:500-4000V、分辨率、1V精度±5%;电压过冲范围:500-4000V:10%;(800V以下时按dv/dt=500V/μS验收)电压上升率:200V/μS、500V/μS、1000V/μS、1500V/μS、2000V/μS共5档,精度±10%按模拟负载为2.2nF电容器校准;准线性电压上升率/测试频率:单次关断时间测试单元通态电流测试范围:200A-3000A分辨率:1A精度±5%;工作频率:0.2-0.5Hz;关断时间测试范围:5-1500µs;通态电流脉冲底宽:≥4ms;反向电压:50-200V连续可调,分辨率1V;精度±5%;再加电压范围:500V-4000V,分辨率1V;精度±5%;再加电压上升率e:分为30V/µs、100V/µs、300V/µs三档,精度±10%;电流下降率:分为10A/µs、20A/µs两档,精度±20%;恢复电荷、反向恢复电流、反向恢复时间测试单元通态电流测试范围:200A-3000A分辨率:1A精度±5%;工作频率:0.2-0.5Hz;通态电流脉冲底宽:≥4ms;反向电压:50-200V连续可调,分辨率1V;精度±5%;恢复电荷测试范围:500-20000µs;精度±50µs±5%;电流下降率:分为10A/µs、20A/µs两档,精度±20%;可测试反向恢复时间trr、反向恢复电流IR;自动恒温压力夹具工作方式:气动;压力范围:10-200kN;分辨率0.1kN;精度±5%±1kN;温度控制精度范围:70-150℃,分辨率0.1℃,精度±1.5℃;夹头耐压:夹头对机壳耐压:峰值10k0V,1分钟;加热体对夹头耐压:峰值10kV,1分钟;夹头行程:≥80mm;台面直径:大于Ф130mm;夹头最大工作电流:10kA(峰值、底宽10mS、工作频率≤5Hz);夹头表面平面度≤20µs;导柱间跨距:≮260mm;
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