IGCT静态参数测试设备
价格
面议
订货量
≥1
规格 供货量(件)
半导体测试 5
最小起订量
≥1
供货总量
5件
产地
陕西省/西安市
发货期
自买家付款之日起60天内发货

西安智盈电气科技有限公司

身份认证
主营产品:
半导体测试设备,IGBT,可控硅,碳化硅
- 产品参数 -
商标 西安智盈电气
型号 Zy-ifsm-40k
规格 800*800*80
包装 木箱
产量 10
是否有现货
认证 西安智盈电气
元器件种类 半导体器件测试仪
型号 Zy-ifsm-40k
规格 800*800*80
商标 西安智盈电气
包装 木箱
- 产品详情 -
IGCT静态参数测试设备基本介绍
针对IGCT的静态参数而研发的智能测试设备,电压8500V、10000A(可扩展),自动化程度高,按照操作人员设定的程序自动工作。计算机记录测试结果,测试结果可转化为文本或EXCEL格式存储,工作时序、开关的动作状态、数据采集等均由计算机和PLC共同完成。
IGCT静态参数测试设备性能特点
针对IGCT的静态参数而研发的智能测试设备,电压8500V、10000A(可扩展),自动化程度高,按照操作人员设定的程序自动工作。计算机记录测试结果,测试结果可转化为文本或EXCEL格式存储,工作时序、开关的动作状态、数据采集等均由计算机和PLC共同完成。
IGCT静态参数测试设备技术参数

系统单元及参数条件

 

 

通态压降测试单元VTM

平板器件通态电流:0.10~10.00kA, 分辨率:0.01kA,精度±1 0A±5%

模块器件通态电流:0.10~2.00kA, 分辨率:0.01kA,精度±1 0A±5%

电流上升沿时间:5ms

 通态压降测试范围: 0.20~10.00V, 分辨率:0.01V,精度±0.1 V±5%

测试频率:单次

断态电压/断态漏电VD/ID

反向电压/反向漏电流VR/IR测试单元

阻断电压:0.20~8.50kV, 分辨率:0.01kV, 精度±0.1 kV±3%

模块单元阻断电压:0.20~4.00kV

正反向自动测试

  /反向漏电流:0.2~100 mA, 分辨率:0.1 mA, 精度±5%±1 mA

  输出保护电压和电流可计算机设定范围值;在测试时电压或    漏电流超过所设定的范围则自动保护,测试频率: 50HZ

 

IGCT静态参数测试设备使用说明
测试方法灵活,可测试单个单元和多单元的模块,系统稳定,整体采用轮式机柜集成测试,具有简洁的人机交互界面(计算机)和良好的保护措施,操作简单,移动方便等特点。
IGCT静态参数测试设备采购须知
 
您还可以搜索
朋友圈二位码

长按二维码,保存至相册。
发送给微信好友。