2寸蓝宝石氮化 厚膜晶片N型非掺杂Undoped
 
恒迈瑞公司目前自支撑氮化 衬底片有2英寸4英寸和方形10*10.5mm2氮化 GaN衬底片材料，实现了氮化 单晶材料生长的n型掺杂、补偿掺杂，研制出高电导率的和半绝缘的氮化 单晶。氮化 GaN-On-Sapphire有2英寸和4英寸，衬底结构为GaN on Sapphire。氮化 外延层厚度4.5um和20um。
 
氮化 ，分子式GaN，是氮和 的化合物，是一种直接能隙（direct bandgap）的半导体，属于极稳定的化合物，自1990年起常用在发光二极管中。它的坚硬性好，还是高熔点材料，熔点约为1700℃，GaN具有高的电离度，在Ⅲ—Ⅴ族化合物中是高的（0.5或0.43）。在大气压力下，GaN晶体一般是六方纤锌矿结构。