D级碳化硅SiC晶锭厂家用于测试激光冷切割设备
 
恒迈瑞公司生长供应4英寸至6英寸测试D级碳化硅晶锭用于新型激光冷切割设备测试验证用。采用PVT法生长碳化硅晶锭，单晶生长对温度和压力的要求苛刻，一般而言，碳化硅气相生长温度在2000℃~2500℃之间，而传统硅材仅需1600℃左右，单根晶锭厚度约为20mm左右，已双面磨平。
 
目前碳化硅晶圆的制造过程分为：切割——研磨——抛光——清洗，在每个加工阶段，都对表面损伤度和粗糙度有一定的要求，其中切割作为加工碳化硅单晶片的首要工序，其加工质量是会对后续研磨、抛光的加工水平产生影响，进而影响芯片的性能。在当前工业生产中，碳化硅晶锭一般多线切割的方法，随着技术的不断进步，水导激光切割、隐形切割等新型切割技术也相继显露锋芒。
 
冷切割（Cold Split）晶圆技术，就是采用了超快激光器（皮秒、飞秒的低热损伤）技术，不仅能将晶锭分割成晶圆，而且每片晶圆损失低至80μm（最终形成的切割道缝隙），使材料损失也大大减少，最终使得功率器件的总生产成本降低下来，这个技术就是典型的使用了超快激光（皮秒、飞秒）的技术路径。
 
冷切割技术分为两个步骤：先用聚焦后的激光照射晶锭形成剥落层，使碳化硅（SiC）材料内部体积瞬间发生分子的破裂膨胀，从而产生一定方向的拉伸应力而产生非常窄的微裂纹（沿着一定的晶向方向）；然后快速冷却方法将微裂纹处理为一个主裂纹，最终将晶圆与剩余的晶锭分开，此种工艺方法早在2017年国内已经应用与蓝宝石的激光切割或者近几年比较的剥离切割行业，用的切割头就是采用了皮秒激光器的特性。