IGBT 动态参数测试系统
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半导体测试 5
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产地
陕西省/西安市
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西安智盈电气科技有限公司

身份认证
主营产品:
半导体测试设备,IGBT,可控硅,碳化硅
- 产品参数 -
商标 西安智盈电气
型号 Zy-dbc-102
规格 800*800*800
包装 木箱
产量 10
是否有现货
元器件种类 半导体器件测试仪
型号 Zy-dbc-102
规格 800*800*800
商标 西安智盈电气
包装 木箱
- 产品详情 -
基本介绍系统概述:IGBT广泛应用于现代中、大功率变换器中,其开关特性决定装置的开关损耗、功率密度、器件应力以及电磁兼容性,直接影响变换器的性能。因此准确测量功率开关元件的开关性能具有极其重要的实际意义。性能特点该系统是针对IGBT器件的开关特性及内部续流二极管的反向恢复特性而推出的全自动测试系统。适用于电流小于4500A,集电极电压小于6000V,续流二极管正向电流小于4500A的IGBT器件的特性参数测试。技术参数系统单元:开通时间测试单元该系统的测试单元通过电容充放电原理产生电流波形,测试时根据不同的测试条件,设定测试电压,再通过调节不同的电感值或选择不同的测试脉冲宽度来输出测试要求的电流值,测试的电压和电流波形同时被采集到示波器,并由示波器与工控机直接通讯,将采集数据传输给计算机,计算机经过处理后,将测试数据以表格形式显示并进行最终的编辑和打印。关断时间测试单元栅极电荷测试单元计算机控制单元PLC控制单元气动压力夹具二极管反向恢复测试单元参数条件开通特性关断特性气动夹具测试参数开通延迟10-1000ns±5%±10nsTj=25ºC和125ºC关断延迟10-2000ns±5%±10nSTj=25ºC和125ºC压力:5000Pa的品牌空压机供气。控温范围:25℃-200℃控温精度:±1.0℃±1%器件接触:20个探针的接触矩阵上升时间10-1000ns±5%±10nsTj=25ºC和125ºC下降时间10-2000ns±5%±10nSTj=25ºC和125ºC开通能量1-1000mJ±5%±0.1mJTj=25ºC和125ºC关断能量1-1000mJ±5%±0.1mJTj=25ºC和125ºC测试条件集电极电压50-3500V±5%根据用户要求定制集电极电压50-3500V±5%根据用户要求定制集电极电流50-1500A±5%根据用户要求定制集电极电流50-1500A±5%根据用户要求定制负载20-1000uH负载20-1000uH栅极电压±15V±3%±0.2V栅极电荷一次短路/脉宽10uS/短路电流10KA短路测试反向恢复电流/反向恢复时间/反向di/dt二极管反向参数400-20000nC使用说明该系统是针对IGBT器件的开关特性及内部续流二极管的反向恢复特性而推出的全自动测试系统。适用于电流小于4500A,集电极电压小于6000V,续流二极管正向电流小于4500A的IGBT器件的特性参数测试。采购须知
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