EVG®850   Automated Production Bonding System for SOI
 
 
EVG®850   SOI的自动化生产键合系统
 
 
 
 
 
自动化生产键合系统，适用于多种融合/分子晶圆键合应用
 
 
 
 
 
技术数据
 
 
SOI晶片是微电子行业有望生产出  ，性能  的微电子设备的有希望的新基础材料。晶圆键合技术是SOI晶圆制造工艺的一项关键技术，可在绝缘基板上实现高质量的单晶硅膜。借助EVG850 SOI生产粘合系统，SOI粘合的所有基本步骤-从清洁和对准到预粘合和红外检查-都结合了起来。因此，EVG850确保了高达300 mm尺寸的无空隙SOI晶片的高产量生产工艺。 EVG850是  在高通量，高产量环境下运行的生产系统，已被确立为SOI晶圆市场的行业标准。
 
 
 
 
 
特征
 
 
生产系统可在高通量，高产量环境中运行；     自动盒带间或FOUP到FOUP操作
 
 
   的背面处理；                         超音速和/或刷子清洁
 
 
机械平整或缺口对齐的预粘合；                 的远程诊断
 
 
技术数据
 
 
 
 
 
晶圆直径（基板尺寸）：100-200、150-300毫米
 
 
全自动盒带到盒带操作
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
预粘接室
 
 
对齐类型：平面到平面或凹口到凹口
 
 
对准精度：X和Y：±50 µm，θ：±0.1°
 
 
结合力：  5 N
 
 
键合波起始位置：从晶圆边缘到中心灵活
 
 
真空系统：9x10-2 mbar（标准）和9x10-3 mbar（涡轮泵选件）
 
 
 
 
 
清洁站
 
 
清洁方式：冲洗（标准），超音速喷嘴，超音速面积传感器，喷嘴，刷子（可选）
 
 
腔室：由PP或PFA制成（可选）
 
 
清洁介质：去离子水（标准），NH4OH和H2O2（  ）。 2％浓度（可选）
 
 
 
 
 
旋转卡盘：真空卡盘（标准）和边缘处理卡盘（选件），由不含金属离子的清洁材料制成
 
 
旋转：  3000 rpm（5 s）
 
 
清洁臂：  5条介质线（1个超音速系统使用2条线）
 
 
可选功能：    3迷你环境（根据    14644）；  LowTemp™等离子活化室；
 
 
红外检查站