商标 | N |
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型号 | EVG 501 |
规格 | 501/510/520/540系列 |
包装 | N |
产量 | 10 |
是否有现货 | 否 |
品牌 | 奥地利EVG |
自动化程度 | 半自动 |
是否加工定制 | 是 |
电流 | 交流 |
型号 | EVG 501 |
规格 | 501/510/520/540系列 |
商标 | N |
包装 | N |
主要特点:
最大化降低客户总拥有成本(TCO)
键合温度450度,压力10KN
的硅片低压契型补偿系统以提高良率
温度均匀性: <+/- 1% ;压力均匀性:<+/- 5%
工艺菜单与其他键合系统通用
高真空键合腔室 (可低至 10-5 mbar,使用分子泵)
开放式腔室设计便于快速转换和维护
基于Windows 的控制软件和操作界面
最小化占地占地面积--- 200 mm键合系统占地 0.88 m2
应用范围
主要应用于MEMS制造、微流体芯片、化合物半导体的薄片处理、晶圆级 封装以及3D互联、TSV工艺。
图1
图2
技术参数:
加热器尺寸= 晶片尺寸(mm) 150mm 或200mm 硅片直径 150mm加热器:单一小片或碎片;200mm加热器:100mm 键合卡盘/对准系统 150mm加热器 EVG610,EVG620,EVG6200 200mm加热器 EVG6200,MBA300,Smartview 键合腔 接触压力 3.5KN,10KN,20KN 最高温度 450℃ 真空度 0.1mbar(标配),1E-5(可选) 阳极键合功率 0-2000V,0-50A 腔室个数 1 上料腔室 手动 工艺菜单 与其他键合设备兼容