SiC和GaN退火及石墨烯生长 基本介绍 
 
 
 
centrotherm   SiC和GaN退火及石墨烯生长 Activator150
 
 
 
 
 
centrotherm Activator 150 高温炉生产线专为硅-碳化合物（SiC）或 -氮化合物（GaN） 设备的后植入烧结而设计开发。Activator 150 可用于多种类型炉体， 如研发炉和批量生产炉， 且处理灵活性高。centrotherm 的无金属加热装置的  设计允许处理温度高达 1850 °C 同时缩短了工艺循环时间。由于占据空间小、购置成本低，所以 Activator 150 可实现生产具有成本效益。
 
 
 
 
 
特点：
 
 
高活化率
 
 
表面粗糙程度  
 
 
温度最高达 1850°C
 
 
批量规模高达 50硅片（150mm）
 
 
加热率最高达 150 K/min
 
 
通过SiH4可实现硅“过压
 
 
 
 SiC和GaN退火及石墨烯生长 性能特点 
 
 
 
Centrotherm 小批晕生产用垂直炉管CLV200,科研专属 
 
 
CLV200 小批晕生产用垂直炉管
 
 
I 适用于砫衬底的半导体集成电路的生产
 
 
 
 
 
centrotherm C LV 200 是一个独立的小批量晶圆 生产设备，能实现各项热处理工艺，适用于少量生产及 研发。
 
 
cent rot herm 工艺反应 腔体及加热系统有着  的设计，    高升温至 11 00 摄氏度。由于一炉尺寸较小（一批至多 50 片晶圆）， CLV 200 炉管能提供 非常灵活的常压及低压工艺，降低顾客研发费用。
 
 
cent rot herm 的设计在  ， 低耗上非常出色， 同时也具备了生产各种半导体器件的工艺灵活性。
 
 
 
 
 
常压工艺退火
 
 
氧化
 
 
扩散LPCVD PECVD
 
 
 Zui高温度可达 11 00° C
 
 
净化间占用面积小 [1.6 m叮
 
 
售 批量生产 100 mm 至200 mm 晶圆售 一批  可处理 50 片晶圆
 
 
售 全自动 cassette -to-cassette 传片
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 SiC和GaN退火及石墨烯生长 技术参数 
 

    
 
 
 SiC和GaN退火及石墨烯生长 使用说明 
 

    
 
 
 SiC和GaN退火及石墨烯生长 采购须知