作为碳化硅晶片供应商，恒迈瑞公司可生长供应4H-N导电型及4H-SI半绝缘200mm8英寸碳化硅衬底晶片，厚度均为500um±25um，目  英寸碳化硅衬底是市面上碳化硅产品最大尺寸，不少厂商已从6英寸SiC衬底逐步过渡至8英寸碳化硅晶片。恒迈瑞8英寸碳化硅晶片可分为测试D级与产品P级，除衬底外，8英寸碳化硅切割片及8英寸碳化硅晶锭亦可优惠价供应。
 
在单晶生长工艺中获得SiC晶碇之后，接下来进行的是SiC衬底的精细制备过程。这一过程包括以下几个关键步骤：
 
1. 磨平：首先对SiC晶碇进行磨平处理，以消除表面的不平整和生长过程中可能产生的缺陷。
 
2. 滚圆：随后进行滚圆工序，目的是使晶碇的边缘变得光滑，为后续的切割工作做准备。
 
3. 切割：使用精密的切割技术将SiC晶碇分割成多个薄片，这些薄片将作为衬底使用。
 
4. 研磨（减薄）：对切割后的SiC薄片进行研磨，以减少其厚度，达到所需的衬底规格。
 
5. 机械抛光：利用机械抛光技术进一步改善衬底表面的光滑度，去除研磨过程中可能产生的损伤层。
 
6. 化学机械抛光（CMP）：通过化学机械抛光工艺，进一步提升衬底表面的平整度和清洁度，确保衬底的高质量。
 
7. 清洗：在抛光之后，进行  的清洗工序，去除表面残留的抛光液和颗粒，为后续工艺做准备。
 
8. 检测：最后，对SiC衬底进行全面的质量检测，包括表面质量、厚度均匀性、缺陷密度等，以确保衬底满足高性能电子器件的制造要求