EVG®810 LT  LowTemp™ Plasma Activation System
 
 
EVG®810LT   LowTemp™等离子激活系统
 
 
 
 
 
适用于SOI，MEMS，化合物半导体和  基板键合的低温等离子体活化系统
 
 
 
 
 
技术数据
 
 
EVG810 LT LowTemp™等离子活化系统是具有手动操作的单腔独立单元。 处理室允许进行异位处理（晶圆被一一激活并结合在等离子体激活室外部）。
 
 
 
 
 
特征
 
 
表面等离子体活化，用于低温粘结（熔融/分子和中间层粘结）
 
 
晶圆键合机制中 快的动力学
 
 
无需湿工艺
 
 
低温退火（  400°C）下的  粘结强度
 
 
适用于SOI，MEMS，化合物半导体和  基板粘接
 
 
高度的材料兼容性（包括CMOS）
 
 
 
 
 
EVG810 LT技术数据
 
 
晶圆直径（基板尺寸）：50-200、100-300毫米
 
 
LowTemp™等离子活化室
 
 
工艺气体：2种标准工艺气体（N2和O2）
 
 
通用质量流量控制器：自校准（高达20.000 sccm）
 
 
真空系统：9x10-2 mbar
 
 
腔室的打开/关闭：自动化
 
 
腔室的加载/卸载：手动（将晶圆/基板放置在加载销上）
 
 
可选功能
 
 
卡盘适用于不同的晶圆尺寸
 
 
无金属离子活化
 
 
混合气体的其他工艺气体
 
 
带有涡轮泵的高真空系统：9x10-3 mbar基本压力
 
 
符合LowTemp™等离子活化粘结的材料系统
 
 
Si：Si / Si，Si / Si（热氧化，Si（热氧化）/ Si（热氧化）
 
 
TEOS / TEOS（热氧化）
 
 
绝缘体锗（GeOI）的Si / Ge
 
 
硅/氮化硅
 
 
玻璃（无碱浮法）：硅/玻璃，玻璃/玻璃
 
 
化合物半导体：GaAs，GaP，InP
 
 
 
 
 
聚合物：PMMA，环烯烃聚合物
 
 
用户可以使用上述和其他材料的“  已知方法”配方（可根据要求提供完整列表）