EVG光刻机主要应用于 半导体光电器件、功率器件、传感器、混合电路、微波器件及微电子机械系统（MEMS 、 ） 硅片凸点、芯片级封装以及化合物半导体 等 ， 涵盖了微电子领域微米或亚微米级线条的芯片的光刻应用。

主要特点
 
1. 高分辨率的顶部和底部显微镜 
2. 双面光刻和键合对准工艺       
3. 自动的微米计控制曝光间距       
4. 自动契型补偿系统        
5. 优异的全局光强均匀度       
6. 快速更换不同规格尺寸的硅片       
7. 高度自动化系统        
图形化用户界面 
9. 可选配Nanoalign 
技术包以达到  的工艺能力 
10. 薄硅片或翘曲硅片处理系统可选 
11. 光刻工艺模拟软件可选 
12. 三花篮上料台，可选五花篮台             
技术参数
 
衬底/晶片尺寸（mm） 
2 
’ 
,3 
’ 
--150mm，150mm*150mm，0.1-10mm 厚度 
掩膜板最大尺寸 
  7'*7' 
物镜间距 
8-30mm连续可调 
对准方式 
上部对准，CCD 
±0.5um（手动半自动），全自动±1.0um，3σ 
上部对准，目镜 
可选 
底部对准 
±1.0um（手动半自动 
） 
,全自动±1.25um，3σ 
红外对准 
可选 
键合对准 
可选 
Nanoalign 
可选 
大间隙对准 
全自动±1.5um，3σ 
工作台 
精密微米计 
手动或自动（选） 
载片台 
真空吸盘式，接近式隔离块（可选） 
接触压力 
0.5-80N可调 
曝光 
方式 
接近式，软、硬、真空接触 
分辨率 
真空接触式<1.0um,接近式≤2um 
波长 
200-240nm/240-280nm/280-350nm/ 350-450 nm;  
滤波片（可选） 
光强均匀性 
≤2% 
汞灯 
350 W, 500 W 
， 
1000W 
纳米压印光刻 
硬压头 
可选；低于 
100nm 
的特征线条 
软压头 
可选