D级碳化硅晶锭生产厂家用于测试金刚石减薄砂轮
 
碳化硅生产流程中的核心环节是碳化硅衬底的加工，主要分为碳化硅衬底的切割、薄化、抛光三道工序。其中薄化主要通过磨削与研磨实现，研磨又分为粗磨和精磨。苏州恒迈瑞公司为客户提供4至6英寸D级测试级碳化硅晶锭，单个晶锭厚度约20mm左右，分为导电型及半绝缘型，于碳化硅设备测试，减薄砂轮测试等等，欢迎有碳化硅晶锭需求客户联系我们获取详细参数及报价。
 
SIC晶体具有与GaN材料高匹配的晶格常数和热膨胀系数以及  的热导率，是GaN基的理想衬底材料，如LED,LD。因此，SiC衬底加工技术是器件制作的重要基础，其表面加工的质量和精度，直接会影响外延薄膜的质量以及器件的性能，所以碳化硅衬底材料的加工要求晶片表面超光滑，无缺陷，无损伤，表面粗糙度在纳米以下.
 
粗磨减薄：去除切片工序给碳化硅圆片表面造成的切痕以及损伤层；
 
精磨减薄：去除粗磨磨痕，保证研磨后晶片的面型精度，达到表面粗糙度<3nm，TTV<3μm的要求，为下一步的抛光做准备；