面议
商标 | n |
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型号 | Tx-stress mapper |
规格 | Tx-stress mapper |
包装 | n |
加工方式 | OEM加工 |
生产线数量 | n |
日加工能力 | n |
无铅制造工艺 | 不提供 |
免费打样 | 支持 |
型号 | Tx-stress mapper |
规格 | Tx-stress mapper |
商标 | n |
包装 | n |
专利分类 | n |
专利号 | n |
晶圆 | 12寸以内 |
具备三维翘曲(平整度)、薄膜应力、纳米轮廓、宏观缺陷成像等检测功能,适用于半导体晶圆生产、半导体制程工艺开发、玻璃及陶瓷晶圆生产.
优势
对各种晶圆的表面进行一次性非接触全口径均匀采样测量
简单、准确、快速、可重复的测量方式,多功能
强大的附加模块:晶圆加热循环模块(高达400度);表面粗糙度测量模块;粗糙表面晶圆平整度测量模块
适用对象
2 寸- 8 寸/12 寸抛光晶圆(硅、砷化镓、碳化硅等)、图形化晶圆、键合晶圆、封装晶圆等;液晶基板玻璃;各类薄膜工艺处理的表面
适用领域
半导体及玻璃晶圆的生产和质量检查
半导体薄膜工艺的研究与开发
半导体制程和封装减薄工艺的过程控制和故障分析
检测原理
晶圆制程中会在晶圆表面反复沉积薄膜,基板与薄膜材料特性的差异导致晶圆翘曲,翘曲和薄膜应力会对工艺良率产生重要影响。
采用结构光反射成像方法测量晶圆的三维翘曲分布,通过翘曲曲率半径测量来推算薄膜应力分布,具有非接触、免机械扫描和高采样率特点,12英寸晶圆全口径测量时间低于30s。
通过Stoney公式及相关模型计算晶圆应力分布。
三维测量分析软件易用性强,具有丰富分析功能,包括:三维翘曲图、晶圆翘曲参数统计(BOW,WARP,GFIR,SFLR等),薄膜应力及分布,模拟加热循环,曲率,各种多项式拟合、空间滤波和各类数据导出。